化學(xué)機(jī)械拋光（ＣＭＰ）已成為公認(rèn)的納米級(jí)全局平坦化精密超精密加工技術(shù)。拋光液在ＣＭＰ過程中發(fā)揮著重要作用。
化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical mechanical polishing，簡稱CMP），又稱化學(xué)機(jī)械平坦化（Chemical mechanical planarization），是提供超大規(guī)模集成電路（ＵＬＳＩ）制造過程中表面平坦化的一種新技術(shù)，于1965年首次由美國的Monsanto提出，最初是用于獲取高質(zhì)量的玻璃表面。ＣＭＰ技術(shù)將磨粒的機(jī)械研磨作用與納米材料的化學(xué)作用有機(jī)地結(jié)合起來，可實(shí)現(xiàn)超精密無損傷表面加工，滿足集成電路特征尺寸在0.35μm以下的全局平坦化要求。ＣＭＰ過程是一個(gè)動(dòng)態(tài)的微細(xì)加工過程，在該過程中，拋光液中的化學(xué)組分與工件發(fā)生反應(yīng)，在工件加工表面形成一層很薄、結(jié)合力較弱的生成物；而拋光液中磨粒在壓力和摩擦作用下對(duì)工件表面進(jìn)行微量去除。此外，拋光過程拋光液還通過在拋光區(qū)域形成流體膜以及帶動(dòng)磨粒在拋光區(qū)運(yùn)動(dòng)影響拋光過程。所以，拋光液在ＣＭＰ過程中影響著化學(xué)作用與磨粒機(jī)械作用程度的比例，影響著拋光區(qū)域的溫度，在很大程度上決定著ＣＭＰ能獲得的拋光表面質(zhì)量和拋光效率。
現(xiàn)代電子,光學(xué)科技的飛速發(fā)展, 令到許多相關(guān)行業(yè)對(duì)其原材料表面光潔度的要求越來越高. 能否正確選用適當(dāng)?shù)难心? 拋光材料, 已成為保障這類產(chǎn)品品質(zhì)的最重要的因素之一. 在超過半個(gè)世紀(jì)的發(fā)展中, 隨著各類新型材料在高科技及生活中的出現(xiàn), 科凝化工根據(jù)被加工物件各異的理化特性, 針對(duì)性的研制了各類不同的拋光研磨材料, 充分滿足了市場的需求. 近年來, 國內(nèi)半導(dǎo)體, 激光, 壓電晶體, 光學(xué)晶體, 光學(xué)玻璃, 光學(xué)塑料以至鏡面金屬模具, 陶瓷加工等行業(yè)的高精度表面處理, 都在越來越多的采用.
CMPKN-80 是以高純度的，粒徑僅為數(shù)十納米的膠態(tài)氧化硅配以獨(dú)特的專利懸浮防銹液等高分子成分所組成。可以保障到被加工件鏡面無劃痕的要求，特別適用于鈮酸鋰，鉭酸鋰，藍(lán)寶石等電子材料最終拋光。達(dá)到即開即用的標(biāo)準(zhǔn)，同樣也廣泛應(yīng)用于各種非線性光學(xué)晶體，激光晶體的精拋，以及高硬度合金模具，特殊陶瓷，電腦玻璃磁盤基片等產(chǎn)品的最終精拋。
應(yīng)用領(lǐng)域：
1、金屬類材料：如不銹鋼、鋁合金、鋅件拋光；
2、LED藍(lán)寶石襯底，晶體、寶石件拋光；
3、光學(xué)鏡片、光學(xué)玻璃、石英件拋光；
4、磁頭、硬盤件拋光；
5、光纖以及光伏拋光。 |
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