存儲(chǔ)原理
計(jì)算機(jī)把二進(jìn)制數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)為復(fù)合二進(jìn)制數(shù)字信號(hào)（加入分配、核對(duì)、堆棧等指令）讀寫到USB芯片適配接口，通過(guò)芯片處理信號(hào)分配給EEPROM存儲(chǔ)芯片的相應(yīng)地址存儲(chǔ)二進(jìn)制數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，其控制原理是電壓控制柵晶體管的電壓高低值，柵晶體管的結(jié)電容可長(zhǎng)時(shí)間保存電壓值，斷電后能保存數(shù)據(jù)的原因主要就是在原有的晶體管上加入了浮動(dòng)?xùn)藕瓦x擇柵。在源極和漏極之間電流單向傳導(dǎo)的半導(dǎo)體上形成貯存電子的浮動(dòng)棚。浮動(dòng)?xùn)虐粚庸柩趸そ^緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導(dǎo)電流的選擇/控制柵。數(shù)據(jù)是0或1取決于在硅底板上形成的浮動(dòng)?xùn)胖惺欠裼须娮印Ｓ须娮訛?，無(wú)電子為1。閃存就如同其名字一樣，寫入前刪除數(shù)據(jù)進(jìn)行初始化。具體說(shuō)就是從所有浮動(dòng)?xùn)胖袑?dǎo)出電子。即將有所數(shù)據(jù)歸“1”。寫入時(shí)只有數(shù)據(jù)為0時(shí)才進(jìn)行寫入，數(shù)據(jù)為1時(shí)則什么也不做。寫入0時(shí)，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導(dǎo)的電子能量。這樣一來(lái)，電子就會(huì)突破氧化膜絕緣體，進(jìn)入浮動(dòng)?xùn)拧Ｗx取數(shù)據(jù)時(shí)，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動(dòng)?xùn)艣](méi)有電子的狀態(tài)（數(shù)據(jù)為1）下，在柵電極施加電壓的狀態(tài)時(shí)向漏極施加電壓，源極和漏極之間由于大量電子的移動(dòng)，就會(huì)產(chǎn)生電流。而在浮動(dòng)?xùn)庞须娮拥臓顟B(tài)（數(shù)據(jù)為0）下，溝道中傳導(dǎo)的電子就會(huì)減少。因?yàn)槭┘釉跂烹姌O的電壓被浮動(dòng)?xùn)烹娮游蘸螅茈y對(duì)溝道產(chǎn)生影響。 |
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