K9K1G08U0M讀一個(gè)頁需要：5個(gè)命令、尋址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs；K9K1G08U0M實(shí)際讀傳輸率：512字節(jié)÷38.7μs=13.2MB/s；K9K4G08U0M讀一個(gè)頁需要：6個(gè)命令、尋址周期×50ns+25μs+(2K+64)×50ns=131.1μs；K9K4G08U0M實(shí)際讀傳輸率：2KB字節(jié)÷131.1μs=15.6MB/s。因此，采用2KB頁容量比512字節(jié)也容量約提高讀性能20%。
寫入性能：NAND型閃存的寫步驟分為：發(fā)送尋址信息→將數(shù)據(jù)傳向頁面寄存器→發(fā)送命令信息→數(shù)據(jù)從寄存器寫入頁面。其中命令周期也是一個(gè)，我們下面將其和尋址周期合并，但這兩個(gè)部分并非連續(xù)的。
K9K1G08U0M寫一個(gè)頁需要：5個(gè)命令、尋址周期×50ns+(512+16)×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M實(shí)際寫傳輸率：512字節(jié)÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M寫一個(gè)頁需要：6個(gè)命令、尋址周期×50ns+(2K+64)×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M實(shí)際寫傳輸率：2112字節(jié)/405.9μs=5MB/s。因此，采用2KB頁容量比512字節(jié)頁容量提高寫性能兩倍以上。
3．塊容量
塊是擦除操作的基本單位，由于每個(gè)塊的擦除時(shí)間幾乎相同(擦除操作一般需要2ms，而之前若干周期的命令和地址信息占用的時(shí)間可以忽略不計(jì))，塊的容量將直接決定擦除性能。大容量NAND型閃存的頁容量提高，而每個(gè)塊的頁數(shù)量也有所提高，一般4Gb芯片的塊容量為2KB×64個(gè)頁=128KB，1Gb芯片的為512字節(jié)×32個(gè)頁=16KB。可以看出，在相同時(shí)間之內(nèi)，前者的擦速度為后者8倍！ |
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