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更大比例的空穴通過結點變為集電圾電流

詳細說明

　　輸入特性?應指出當rc5降低時，f5增加，此時啊是一個固定值;K值很大時導致集電結反向偏置很大，它會擴大耗盡層域，使得基區吏小。當基區寬度更小時，對注入的少數載流子的復合就越少，在基區流過的電流也相應地減小。和cB輸入特性形成對比，應注意在圖4—19中輸入電流是用微安培為單位繪圖的。當然/g比f5或者f((J“=人/6)更小。cE段輸入特性經常叫作基極特性。圖4—19 共發射極輸入特性共發射極輸出特性共發射極輸出特性表明了集電極電流Jc與集電極電壓rcZ的關系曲線，可以確定不同/A值。這些特性經常叫作集電極特性。圖4—2D表明了在v“型晶體管的cE結構中的輸出待性。

　　可以由任意點上的特性確定晶體管p近似值，在圖4—20中僅由某個點亡通過Jr八相除的值得到多近似值。用這個回來說明，在rcZ=3v和/B=50PA的交點上，Jc的值大約是7mA，因此在這個點上p的值是fL從=7mA/50pA=140;顯然，和。一樣，廖不足常量，而是依賴于晶體管工作區的特性。圖中近似水平的區域是CB結構中的放大區。在這個區域里tp基本上是常量，但是隨著KE會略微有所增加，我們能夠從每一條曲線隨啊增加而上升的情況來推導出上述結論*

　　在cB結構中，若Ke增加很大時集電極電流將會迅速地增加。當JB;o(基極斷開)時.在擊穿發生的位置，集電結的電流表示為BK。。對于任意晶體管，月KM的值比BrcM要小*o噸。有時也叫作“維持電壓”，表示為LyM。在解釋圖4—20特性時，應當認識到物是一個很小的基本恒定的值，對應每一個這樣的值有一條曲線(硅晶體管大約是o.7v)。圖4—21闡明了這個觀點。應指出在圖4—21里整個集電極到發射極電壓rcz(例子里的K和K是相同的)是正向偏置電壓嗆和反向偏置電壓電的總和，它的值很小。因此，rc5=rc6*嗆，或者，對于硅晶體管是r(x“yJ2?o.7V c田此，如果噸降低為約o.7v時，rc5變為o，集電結不再反向偏置。在圖4—20持將圖4—14所示cD輸出特性曲線和圖4—20的CE輸出特性曲線進行比較，得出在cE結構中，曲線急劇上升。曲線的急劇升高證明了我們所得到的結論，即與cE輸入特性曲線的關系為：rcj的值越大，基區就更小，因此，基極電流就更小。但是，因為基極電流是恒量如

　　圖4—20所示，結果是Jc增加。換句話說，基極將要有更少的復合發生，意味著更大比例的空穴通過結點變為集電圾電流。很明顯，在圖4—20中與較大Jn對應的特性曲線可以比較小J6值對應的曲線增大更快。如圖4—22所示，這些線幾乎反向交于一點。這個相交點，在圖4—22中，表示為rJ，稱作厄爾利電壓，以J.M.EMly命名，他是*一個研究這些關系的人。當然，在晶體管中不會出現K5等于厄爾利電壓的情況。rJ是另一個很有用的表現晶體管行為特點的參數。在計算機仿真程序中尤其有用，例如sncE.它專門分析晶體管電路，需要全部的晶體管特性描述。

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