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西安易恩電氣科技有限公司
聯系人:陳崗龍
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電 話:19929902667 |
手 機:19929902667  |
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易恩電氣雪崩耐量測試系統ENX2020A |
ENX2020功率器件雪崩耐量測試系統是本公司研發設計的測試Si DIODE、Si MOSFET、Si IGBT和SiC DIODE、SiC MOSFET、SiC IGBT雪崩耐量的專業測試設備,系統滿足美軍標MIL-STD-750F·3470,能夠準確快速的測試出IGBT、MOS、二極管的雪崩耐量。該設備包括:可控直流電源、可選電感、霍爾電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓、功率型器件、功率型器件保護電路、計算機控制系統、雪崩電壓采集系統、雪崩電流采集系統、測試適配器(可定制)、外接測試端口等多個部分。
ENX2020 雪崩耐量測試系統
功能指標:
測試參數
功能指標
雪崩電壓Va
10- 2500 V,分辨率1V
漏極電壓
10-150 V,分辨率1V
柵極電壓
2-20V,分辨率1V
漏極電流Ia
1A-100A,分辨率0.1A
漏電測試
電壓= 2V-150V,I = 1.0 mA;Imax = 8.0 mA
雪崩能量 Eas/Ear
1mJ -100J ,分辨率1mJ
感性負載
0.01 mH-159.9 mH 程控式電感,分辨率10uH
參數輸入
GPIB輸入
波形捕捉和分析
雪崩電流 Ia、雪崩電壓 Va 和雪崩能量 Eas波形可在示波器和工控機顯示器上同時捕捉觀察
輸出
兩路獨立輸出,用于測試 N,P 或者組合的 MOSFET,IGBT。
外部接口
PTNET:網絡連接和控制的 PTNET,
提供最多 50 個虛擬 BIN;
Handler 接口:15-bin 控制的機械手接口; |
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