Ce:YAG晶體具有優異機械和化學穩定性的快閃爍材料。Ce:YAG晶體閃爍探測器是電子成像、beta和X射線計數的優選材料,同時也被用作電子和X射線的成像屏。Ce:YAG晶體的優異的溫度機械性能有利于制備出低于0.005mm厚度的超薄成像屏。在電子或者離子轟擊下Ce:YAG晶體不產生損傷,適合應用于高電流環境。Ce:YAG晶體的發光峰位置位于560nm左右,很適合使用S20光電倍增管進行發射探測。在5KV之內以及超過100KV的更高加速電壓下,Ce:YAG晶體比Planotec P47具有更好的響應,在該環境下粉末閃爍體性能開始下降,而Ce:YAG晶體的相應仍然保持線性增加。盡管Ce:YAG晶體的信號比P47弱,但是信噪比高,終端信號更好。Ce:YAG晶體的衰減時間為60ns。使用中為了避免光敏感,通常需要鍍50nm的鋁膜。Ce:YAG晶體,提拉法和溫梯法生長,*大直徑110mm,厚度0.15-150m |