PN8680M低功耗電源芯片是一款高性能的原邊反饋控制器。PN8680M工作在原邊檢測和調(diào)整模式，可省略系統(tǒng)的光耦和TL431。PN8680M低功耗電源芯片擁有恒壓恒流控制環(huán)路，可以實現(xiàn)高精度的恒壓、恒流輸出，以滿足大部分充電器和適配器需求。驪微電子12V開關(guān)控制芯片PN8680M內(nèi)置高壓啟動電路和極低的芯片功耗使得系統(tǒng)能夠滿足較高的待機功耗標準。
1.高壓啟動控制：PN8680M低功耗電源芯片在啟動階段，采用高壓啟動技術(shù)，芯片啟動前2.0mA電流源為內(nèi)部偏置電路供電并給外部VDD電容充電，快速啟動。當(dāng)VDD電壓達到VDDon，芯片開始工作的同時高壓啟動電路關(guān)斷；只要VDD電壓不低于VDDoff，芯片維持正常工作。啟動后，偏置電路通過輔助源供電，同時啟動電路只有一路極小的電流，實現(xiàn)低損耗。
2.CC 工作模式：在CC工作狀態(tài)，高效率電源芯片PN8680M采樣FB引腳的信號（由輔助繞組信號通過電阻分壓），輔助繞組信號脈寬決定振蕩頻率。輸出電壓越高，脈寬越小，同時振蕩頻率越高，這樣可獲得恒定的輸出電流。
3.CV 工作模式：在CV工作狀態(tài)，高效率電源芯片PN8680M使用脈沖采樣VFB電壓，并保持到下個采樣點。將采樣的電壓和VREF_CV基準比較，并放大誤差。這個誤差值代表負載情況，通過控制開關(guān)信號，調(diào)節(jié)輸出電壓，使得輸出恒定。
4.電流檢測和前沿消隱：PN8680M低功耗電源芯片提供逐周期電流檢測功能。芯片通過CS引腳的電阻檢測功率管電流，CC模式設(shè)置點和輸出功率都通過外部調(diào)整CS引腳上的電阻實現(xiàn)。功率管開通瞬間會產(chǎn)生尖峰電壓，內(nèi)部前沿消隱電路可防止誤觸發(fā)而不需要額外的RC濾波電路。
5.可編程線纜補償功能：線纜補償模塊通過FB引腳輸出一路補償電流，流入分壓電阻，如圖3所示，改變電壓反饋值，可以使輸出線損壓降得到補償。當(dāng)負載從滿載減小到空載時，線損壓降也同樣減小。PN8680M低功耗電源芯片通過設(shè)置FB電阻的阻值可以調(diào)整線補償?shù)姆取?br />
6.基準負溫度補償：高效率電源芯片PN8680M的VREF_CV電壓基準采用負溫度補償技術(shù)，常溫下，VREF_CV電壓基準為2.5V；芯片溫度上升時，VREF_CV電壓基準值隨著溫度上升而變小，可以使△V隨著溫度上升而變小得到補償，讓輸出電壓Vo在全溫度范圍內(nèi)恒定，提高了恒壓輸出精度。
7.保護控制：PN8680M低功耗電源芯片含有豐富的保護功能，包括：逐周期過流保護、過壓保護、過溫保護、開環(huán)保護、輸出短路保護、CS電阻開/短路保護、VDD欠壓鎖定保護功能，并且這些保護具有自恢復(fù)模式。
PN8680M原邊反饋低功耗電源芯片集成超低待機功耗原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，可省略光耦和TL431，常用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源，如果需要PN86 |
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