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| 等離子表面處理設(shè)備在半導(dǎo)體行業(yè)中可以去氧化膜 |
半導(dǎo)體去氧化膜/有機(jī)物等離子表面處理設(shè)備
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)工藝技術(shù)的要求越來(lái)越高，特別是對(duì)半導(dǎo)體原片的表面質(zhì)量要求越來(lái)越嚴(yán)，其主要原因是圓片表面的顆粒和金屬雜質(zhì)沾污會(huì)嚴(yán)重影響期間的質(zhì)量和成品率，半導(dǎo)體圓片暴露在含氧氣及水的環(huán)境下表面會(huì)形成孜然氧化層。這層氧化薄膜不但會(huì)妨礙半導(dǎo)體制造的許多工藝，還包含了某些金屬雜質(zhì)，在一定的條件下，他們會(huì)轉(zhuǎn)移到圓片中形成電學(xué)缺陷。
在集成電路工藝中，氧化是必不可少的一項(xiàng)工藝技術(shù)，作為“新一代電子的基礎(chǔ)材料”而備受全球顯示器技術(shù)人員關(guān)注的就是氧化物半導(dǎo)體TFT。因?yàn)檠趸锇雽?dǎo)體TFT是驅(qū)動(dòng)超高精細(xì)液晶面板、OLED面板 以及電子紙等新一代顯示器的TFT材料候選之一。氧化物半導(dǎo)體是通常容易成為絕緣體的氧化物，但卻具有半導(dǎo)體的性質(zhì)。氧化物半導(dǎo)體材料是由金屬與氧形成的化合物半導(dǎo)體材料。它與元素半導(dǎo)體材料相比，結(jié)構(gòu)上多為離子晶體，禁帶寬度一般都較大，遷移率較小，化學(xué)性質(zhì)也比較復(fù)雜，可因化學(xué)計(jì)量比的微小偏差，在晶體中造成施主和受主，而這種化學(xué)計(jì)量比的偏差對(duì)氣氛和溫度是敏感的。
半導(dǎo)體去氧化膜/有機(jī)物等離子表面處理雜質(zhì)的來(lái)源比較廣泛，如人的皮膚油脂，細(xì)菌、機(jī)械油等。這類污染物通過(guò)在圓片表面形成有機(jī)物薄膜阻止清洗液到達(dá)圓片表面，導(dǎo)致圓片表面清洗機(jī)不徹底，使得金屬雜質(zhì)等污染物在清洗之后仍完整的保留在圓片表面。
在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，幾乎每道工序中都需要清洗，圓片清洗質(zhì)量的好壞對(duì)器件性能有嚴(yán)重的影響。正式由于圓片清洗是半導(dǎo)體制造工藝中重要、頻繁的工藝步驟，而且其工藝質(zhì)量將直接影響到器件的成品率、性能和可靠性，所以國(guó)內(nèi)外各大公司、研究機(jī)構(gòu)等清洗工藝的研究一直不斷的進(jìn)行中。
我們國(guó)華電子推薦半導(dǎo)體去氧化膜/有機(jī)物使用等離子表面處理設(shè)備來(lái)進(jìn)行清洗，等離子表面處理設(shè)備具有工藝簡(jiǎn)單。操作方便。沒有廢料處理和環(huán)境污染等問(wèn)題，常用于光刻膠的去除工藝中，在等離子系統(tǒng)中通入少量的氧氣，在強(qiáng)電場(chǎng)作用下，使氧氣產(chǎn)生等離子體，迅速使光刻膠氧化成為可揮發(fā)性氣體狀態(tài)物質(zhì)被抽走。等離子清洗技術(shù)在工藝中具有操作方便，效率高，表面干凈。無(wú)劃傷，有利于確保產(chǎn)品的質(zhì)量等優(yōu)點(diǎn)嗎，因此收到越來(lái)越多的行業(yè)關(guān)注。 |
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