一 概述
內部集成了電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護功能，包括輸出過壓保護、周期式過流保護、過載保護、軟啟動功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調制技術和特殊器件低功耗結構技術實現(xiàn)了超低的待機功耗、全電壓范圍下的*佳效率。頻率調制技術和SoftDriver技術充分保證良好的EMI表現(xiàn)。PN8160為需要超低待機功耗的高性價比反激式開關電源系統(tǒng)提供了一個先進的實現(xiàn)平臺，非常適合六級能效、CoC Tier 2應用。
二 產(chǎn)品特征
■ 內置650V高雪崩能力的功率MOSFET
■ QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode混合模式提高效率
■ 自適應PWM開關頻率65/85kHz，減小變壓器體積
■ 外圍精簡，無需啟動電阻及CS檢測電阻
■ 高低壓腳位兩側排列提高安全性
■ 內置高壓啟動，空載待機功耗 < 50 mW @230VAC
■ 改善EMI的頻率調制技術
■ 供電電壓8~40V，適合寬輸出電壓應用
■ 內置線電壓補償和斜坡補償
■ 優(yōu)異全面的保護功能
?? 過溫保護 (OTP)
?? 輸出過壓保護
?? 逐周期過流保護 (OCP)
?? 輸出開/短路保護
?? 專利的DMG電阻開/短路保護(Latch模式)
?? 次級整流管短路保護
?? 過負載保護（OLP）
三 應用領域
■ 待機電源
■ 開放式開關電源
■ 適配器
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