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西安易恩電氣科技有限公司
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| ENJ2005-B半導體分立器件測試系統系列 |
ENJ2005-B半導體分立器件測試系統系列
系統概述：
設備擴展性強，通過選件可以提高電壓、電流和測試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務。系統采用帶有開爾文感應結構的測試插座，自動補
償由于系統內部及測試電纜長度引起的任何壓降，保證測試結果準確可靠。
面板顯示裝置可及時顯示系統的各種工作狀態和測試結果,前面板的功能按鍵方便了系統操作。通過功能按鍵，系統可以脫離主控計算機獨立完成多種工作。
系統提供與機械手、探針臺、電腦的連接口，可以支持各種不同輔助設備的相互連接使用。
系統特征：
● 測試范圍廣（19大類，27分類）
●升級擴展性強，通過選件可提高電壓電流，和增加測試品種范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V,1250A
● 采用脈沖測試法，脈沖寬度為美軍標規定的300uS
● 被測器件引腿接觸自動判斷功能，遇到器件接觸不良時系統自動停止測試，確保被測器件不受損壞
● 真正的動態跨導測試。（主流的直流方法測動態跨導，其結果與器件實際值偏差很大）
● 系統故障在線判斷修復能力，便于應急處理排除故障
● 二極管極性自動判別功能，無需人工操作
測試參數：
漏電參數：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
擊穿參數：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、 BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益參數：hFE、CTR、gFS、
導通參數：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合參數：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
關斷參數：VGSOFF
觸發參數：IGT、VGT
保持參數：IH、IH+、IH-
鎖定參數：IL、IL+、IL-
基礎配置：
技術參數 ENJ2005-B型
主極電壓 10mV-2000V
主極電流 100nA-50A
擴展電流 100A、200A、400A、500A
電壓分辨率 1mV
電流分辨率 100nA
測試精度 0.5%+2LSB
測試速度 0.5mS/參數 |
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