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供應深圳美信樣品錫須分析服務

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公　司：深圳市美信檢測技術有限公司

發布時間：2015年09月17日

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吳小姐女士 (銷售工程師)

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供應深圳美信樣品錫須分析服務
1、錫須是什么？

錫須（Tin whisker），是電子產品及設備中一種常見的現象。要說明錫須是什么，首先來看晶須是什么。晶須是一種頭發狀的晶體，它能從固體表面自然的生長出來，也稱為“固有晶須”。晶須在很多金屬上生長，*常見的是在錫、鎘、鋅、銻、銦等金屬上生長。甚至有時錫鉛合金上也會生長晶須，但發生概率較小。晶須很少出現在鉛、鐵、銀、金、鎳等金屬上面。一般來說，晶須現象容易出現在相當軟和延展性好的材料上，特別是低熔點金屬。

錫的晶須簡稱錫須，它是一種單晶體結構，導電。錫須的形狀一般是直的、扭曲的、溝狀、交叉狀等，有時也有中空的，外表面呈現溝槽。錫須直徑可以達到10微米，長度有時可以達到9毫米以上，其傳輸電流的能力可以達到10毫安，當傳輸電流較大時，錫須一般會被燒掉。

2、錫須產生的原因

錫須生長的速率一般在0.03——0.9mm/年，在一定條件下，生長速率可能增加100倍或者100倍以上。生長速率由鍍層的電鍍化學過程、鍍層厚度、基體材料、晶粒結構以及存儲環境條件等復雜因素決定。錫須的生長主要是有電鍍層上開始的，具有較長的潛伏期，從幾天到幾個月甚至幾年，一般很難準確預測錫須所帶來的危害。

一般來說，錫須有如下的產生原因：

1、錫與銅之間相互擴散，形成金屬互化物，致使錫層內壓應力的迅速增長，導致錫原子沿著晶體邊界進行擴散，形成錫須；

2、電鍍后鍍層的殘余應力，導致錫須的生長。

3、錫須的解決方案

一般的解決措施：

1、電鍍霧錫，改變其結晶的結構，減小應力；

2、在150攝氏度下烘烤2小時退火；（實驗證明，在溫度90攝氏度以上，錫須將停止生長）

3、Enthone FST浸錫工藝添加少量的有機金屬添加劑，限制錫銅金屬互化物的生成；

4、在錫銅之間加一層阻擋層，如鎳層；

5、抑制錫須，現發現的*好辦法是在錫中添加鉛。但是由于鉛不環保，所以錫須的抑制還需要從其他角度來解決；

6、添加1～2%的黃金，也具有很好的抑制錫須的作用

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