FS10R06VE3是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，FS10R06VE3消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然*新一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比FS10R06VE3 技術高出很多。較低的壓降，轉換成一個低VCE(sat)的能力，以及FS10R06VE3的結構，同一個標準雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化FS10R06VE3驅動器的原理圖。FS10R06VE3基本結構見圖1中的縱剖面圖及等效電路。
FS10R06VE3硅片的結構與功率MOSFET 的結構十分相似，主要差異是FS10R06VE3增加了P+ 基片和一個N+ 緩沖層(NPT-非穿通-FS10R06VE3技術沒有增加這個部分)。如等效電路圖所示(圖1)，其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件。基片的應用在管體的P+和N+ 區之間創建了一個J1結。
FS10R06VE3是一種功率晶體，運用此種晶體設計之UPS可有效提升產品效能，使電源品質好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產品壽命長等多種優點。
報價 基本資料
FF400R07KE4 FS10R06VE3 FP40R12KT3 FZ3600R17HP4 FF225R17ME3 FF100R12KS4
FF800R17KE3 SKW20N60HS
FF75R12Y3、FF100R12YT3、FF150R12YT3、BSM25GB120DN2、BSM35GB120DN2、BSM50GB120DN2、BSM75GB120DN2、BSM100GB120DN2、BSM100GB120DN2K、BSM150GB120DN2、BSM200GB120DN2、BSM300GB120DN2、BSM50GB120DLC、BSM75GB120DLC、BSM100GB120DLC、BSM150GB120DLC、BSM200GB120DLC、BSM300GB120DLC、BSM100GB120DLCK、FF100R12KS4、FF150R12KS4、FF200R12KS4、FF300R12KS4、FF400R12KS4、FF600R12KF4、FF400R12KF4、FF800R12KF4、FF400R12KL4C、FF600R12KL4C、FF800R12KL4C、FF150R12KE3、FF150R12KE3G、FF200R12KE3、FF300R12KE3、FF400R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KT3、FF400R12KT3、FF400R16KF4、FF600R16KF4、FF400R17KF6C_B2、FF600R17KF6C_B2、FF800R17KF6C_B2、FF401R17KF6C_B2、FF200R17KE3、FF300R17KE3、FF600R17KE3、FF800R17KE3、FF1200R17KE3、FF400R17KE3_B2、FF600R17KE3_B2、FF800R17KE3_B2、FF1200R17KE3_B2、FF650R17IE4、FF1000R17IE4、BSM50GB170DN2、BSM75GB170DN2、BSM100GB170DN2、BSM150GB120DN2、BSM100GB170DLC、BSM75GB170DLC、BSM150GB170DLC、BSM200GB170DLC、FF150R17ME3G、FF225R17ME3、FF300R17ME3、FF450R17ME3、BSM50GB60DLC、BSM75GB60DLC、BSM75GB60DLC、BSM100GB60DLC、BSM150GB60DLC、BSM200GB60DLC、BSM300GB60DLC、FF200R06K3、FF300R06KE3 |
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