目的：
當材料及零部件表面出現未知物質，不能確定其成分及來源時，可以通過對異物進行微觀形貌觀察和成分分析進行判斷。
分析方法：
根據樣品實際情況，以下分析方法可供選用。
儀器名稱
信號檢測
元素測定
檢測限
深度分辨率
適用范圍
掃描電子顯微鏡（SEM）
二次及背向散射電子&X射線
B-U (EDS mode)
0.1 - 1 at%
0.5 - 3 μm (EDS)
高辨析率成像
元素微觀分析及顆粒特征化描述
X射線能譜儀（EDS）
二次背向散射電子&X射線
B-U
0.1 – 1 at%
0.5 – 3 μm
小面積上的成像與元素組成；缺陷處元素的識別/繪圖；顆粒分析（>300nm）
顯微紅外顯微鏡（FTIR）
紅外線吸收
分子群
0.1 - 1 wt%
0.1 - 2.5 μm
污染物分析中識別有機化合物的分子結構
識別有機顆粒、粉末、薄膜及液體（材料識別）
量化硅中氧和氫以及氮化硅晶圓中的氫 （Si-H vs. N-H）
污染物分析（析取、除過氣的產品，殘余物）
拉曼光譜（Raman）
拉曼散射
化學及分子鍵聯資料
>=1 wt%
共焦模式
1到5 μm
為污染物分析、材料分類以及張力力測量而識別有機和無機化合物的分子結構
拉曼，碳層特征 （石墨、金剛石 ）
非共價鍵聯壓焊(復合體、金屬鍵聯)
定位(隨機v. 有組織的結構)
俄歇電子能譜儀（AES）
來自表面附近的Auger電子
Li-U
0.1-1%亞單層
20 – 200 Ǻ側面分布模式
缺陷分析；顆粒分析；表面分析；小面積深度剖面；薄膜成分分析
X射線光電子能譜儀（XPS）
來自表面原子附近的光電子
Li-U化學鍵聯信息
0.01 - 1 at% sub-monolayer
20 - 200 Å（剖析模式）
10 - 100 Å (表面分析）
有機材料、無機材料、污點、殘留物的表面分析
測量表面成分及化學狀態信息
薄膜成份的深度剖面
硅 氧氮化物厚度和測量劑量
薄膜氧化物厚度測量（SiO2, Al2O3 等.）
飛行時間二次離子質譜儀（TOF-SIMS）
分子和元素種類
整個周期表，加分子種類
107 - 1010at/cm2 sub-monolayer
1 - 3 monolayers (Static mode)
有機材料和無機材料的表面微量分析
來自表面的大量光譜
表面離子成像 |
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