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化學(xué)沉積爐（PECVD）氣相沉積爐

化學(xué)沉積爐（PECVD）氣相沉積爐//化學(xué)沉積爐（PECVD）氣相沉積爐

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公　司：西尼特（北京）電爐有限公司

發(fā)布時(shí)間：2024年10月10日

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詳細(xì)說(shuō)明

    ※應(yīng)用領(lǐng)域：
CNT生產(chǎn)的PECVD（等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積）設(shè)備是一種用于在基片上生成高質(zhì)量SiNx和SiO2薄膜的專(zhuān)用設(shè)備。淀積溫度能夠較高 (100～600oC可調(diào) ) ，特別適用于半導(dǎo)體器件和集成電路的鈍化，用以提高器件和集成電路可靠性。目前，它已成為微電子和光電子領(lǐng)域科研和生產(chǎn)不可缺少的設(shè)備。
※產(chǎn)品描述：
CNT公司PECVD設(shè)備主要由全真空專(zhuān)用不銹鋼腔體，分子泵高真空系統(tǒng)，電源，生長(zhǎng)機(jī)體載體及溫控系統(tǒng)，獨(dú)立排氣和生長(zhǎng)壓力調(diào)節(jié)系統(tǒng)，冷卻循環(huán)水輔助設(shè)備等組成。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、操作方便、抽真空速度快。此設(shè)備控制系統(tǒng)采用邏輯按鈕手動(dòng)控制與工控機(jī)自控控制可選。實(shí)現(xiàn)真空抽氣和鍍膜工藝一體化功能。此設(shè)備可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導(dǎo)體及金屬膜等。
※技術(shù)指標(biāo)：

參數(shù) 名稱(chēng) 單   位配置
沉積類(lèi)型二氧化硅，氮化硅，類(lèi)金剛石等
電   源射頻電源，帶正向功率和反射功率計(jì)指示，帶匹配器
加熱系統(tǒng) 平板式雙反應(yīng)室系統(tǒng)，帶加溫和勻氣系統(tǒng)
工作溫度 ℃ 100~600℃
基片臺(tái)尺寸 (φ×H)mm 1英寸、二英寸、三英寸、四英寸
基片臺(tái)轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)速0-20RPM
控溫精度 ℃ ±1
極限真空 pa 8.0×10-5
密封系統(tǒng) 磁流體密封
水冷、氣路系統(tǒng) 冷卻水循環(huán)機(jī)、無(wú)噪聲氣泵
報(bào)警及保護(hù) 對(duì)缺水、過(guò)流過(guò)壓、斷路等異常情況進(jìn)行報(bào)警及相應(yīng)保護(hù)措施
真空系統(tǒng)
（選配）真空系列單級(jí)機(jī)械泵、擴(kuò)散泵機(jī)組、分子泵
工作腔體不銹鋼
氣氛系統(tǒng) 浮子流量計(jì)、進(jìn)口、國(guó)產(chǎn)質(zhì)量流量計(jì)
記錄裝置進(jìn)口、國(guó)產(chǎn)無(wú)紙記錄儀
備注：西尼特可根據(jù)閣下要求提供各種非標(biāo)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)制造，歡迎來(lái)函、來(lái)電咨詢(xún)！
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