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抗硫化DRAM

抗硫化DRAM//抗硫化DRAM

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公　司：北京偉天達科技發展有限公司

發布時間：2018年04月11日

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苗利偉先生 (產品處經理)

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詳細說明

許多嵌入式操作人員面臨著越來越高的環境中硫含量高的困難。硫會對DRAM模塊造成腐蝕破壞，導致模塊失效，而且對操作者最不利，停機時間昂貴。
為了解決這個問題，Innodisk發布了一系列新的反硫化DRAM模塊。這些模塊通過專門的設計保護組件的高硫濃度，有效地將模塊暴露的部分與空氣中的硫密封起來。
Innodisk有廣泛的可用的模型，并能提供模塊相結合的反硫化技術和糾錯碼和30µ“金手指一個真正的工業級DRAM解決方案。極端的溫度條件下，寬溫度模塊，能承受−40°C ~+85°C也可用。其他可以進一步增強保形涂層和側填充，這將提供更耐用的模塊。

硫化是什么？
•硫用于DRAM模塊銀反應生成硫化銀（Ag2S）
•這種腐蝕降低了導電性，并可能導致模塊失效。
•硫化是在污染和火山活動地區最常見的；以及在石油化工、采礦和能源行業
反硫化技術會給我們帶來什么？
延長壽命
•The robust反硫化的設計大大提高了在惡劣環境中的模塊壽命
降低總擁有成本
•增加耐久性，確保在不需要維修或更換的情況下更長時間持續使用。

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