輸入特性?應指出當rc5降低時，f5增加，此時啊是一個固定值;K值很大時導致集電結反向偏置很大，它會擴大耗盡層域，使得基區吏小。當基區寬度更小時，對注入的少數載流子的復合就越少，在基區流過的電流也相應地減小。和cB輸入特性形成對比，應注意在圖4—19中輸入電流是用微安培為單位繪圖的。當然/g比f5或者f((J“=人/6)更小。cE段輸入特性經常叫作基極特性。 圖4—19 共發射極輸入特性共發射極輸出特性 共發射極輸出特性表明了集電極電流Jc與集電極電壓rcZ的關系曲線，可以確定不同/A值。這些特性經常叫作集電極特性。圖4—2D表明了在v“型晶體管的cE結構中的輸出待性。
可以由任意點上的特性確定晶體管p近似值，在圖4—20中僅由某個點亡通過Jr八相除的值得到多近似值。用這個回來說明，在rcZ=3v和/B=50PA的交點上，Jc的值大約是7mA，因此在這個點上p的值是fL從=7mA/50pA=140;顯然，和。一樣，廖不足常量，而是依賴于晶體管工作區的特性。圖中近似水平的區域是CB結構中的放大區。在這個區域里tp基本上是常量，但是隨著KE會略微有所增加，我們能夠從每一條曲線隨啊增加而上升的情況來推導出上述結論*
在cB結構中，若Ke增加很大時集電極電流將會迅速地增加。當JB;o(基極斷開)時.在擊穿發生的位置，集電結的電流表示為BK。。對于任意晶體管，月KM的值比BrcM要小*o噸。有時也叫作“維持電壓”，表示為LyM。 在解釋圖4—20特性時，應當認識到物是一個很小的基本恒定的值，對應每一個這樣的值有一條曲線(硅晶體管大約是o.7v)。圖4—21闡明了這個觀點。應指出在圖4—21里整個集電極到發射極電壓rcz(例子里的K和K是相同的)是正向偏置電壓嗆和反向偏置電壓電的總和，它的值很小。因此，rc5=rc6*嗆，或者，對于硅晶體管是r(x“yJ2?o.7V c田此，如果噸降低為約o.7v時，rc5變為o，集電結不再反向偏置。在圖4—20持將圖4—14所示cD輸出特性曲線和圖4—20的CE輸出特性曲線進行比較，得出在cE結構中，曲線急劇上升。曲線的急劇升高證明了我們所得到的結論，即與cE輸入特性曲線的關系為：rcj的值越大，基區就更小，因此，基極電流就更小。但是，因為基極電流是恒量如
圖4—20所示，結果是Jc增加。換句話說，基極將要有更少的復合發生，意味著更大比例的空穴通過結點變為集電圾電流。 很明顯，在圖4—20中與較大Jn對應的特性曲線可以比較小J6值對應的曲線增大更快。如圖4—22所示，這些線幾乎反向交于一點。這個相交點，在圖4—22中，表示為rJ，稱作厄爾利電壓，以J.M.EMly命名，他是*一個研究這些關系的人。當然，在晶體管中不會出現K5等于厄爾利電壓的情況。rJ是另一個很有用的表現晶體管行為特點的參數。在計算機仿真程序中尤其有用，例如sncE.它專門分析晶體管電路，需要全部的晶體管特性描述。
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