該A3212集成電路是超敏感，極筆凹痕的霍爾效應(yīng)
鎖存數(shù)字輸出一個(gè)開關(guān)。該傳感器是ES體育社會(huì)地適合運(yùn)行在電池供電的手持設(shè)備，如手機(jī)和無繩
遠(yuǎn)程手機(jī)，尋呼機(jī)，和掌上COM把ERS。2.5伏到3.5伏操作和
獨(dú)特的時(shí)鐘方案降低了平均運(yùn)算ER在電力需求減少
超過15μW與一個(gè)2.75伏的電源。
不像其他霍爾效應(yīng)開關(guān)，無論是南北極SUF FI系數(shù)
強(qiáng)度將輸出；在沒有磁場(chǎng)時(shí)，輸出
半價(jià)50%。極性獨(dú)立性和*小功率要求，允許這些
設(shè)備能輕易取代卓越的可靠性和易于制造磁簧開關(guān)，同時(shí)消除要求信號(hào)調(diào)理。
改進(jìn)的穩(wěn)定是可能的通過斬波穩(wěn)定（動(dòng)態(tài)偏移取消），可降低通常由剩余偏移電壓
二次注塑設(shè)備，溫德筆的巢穴中，熱應(yīng)力。
該裝置包括一個(gè)單一的硅芯片霍爾電壓發(fā)生器，小信號(hào)放大器，斬波穩(wěn)定BI李化，一個(gè)鎖存器，和一個(gè)MOSFET輸出。先進(jìn)的
BiCMOS工藝是利用低電壓和低功耗
要求，部件匹配，非常低的輸入偏置誤差，和小構(gòu)件幾何。
四封裝形式提供*佳解決方案的磁OP TI*AP PLI—
CA條件。微型低調(diào)的表面貼裝封裝類型EH和EL
（0.75毫米和0.50毫米的標(biāo)稱高度）是無鉛，LH是含鉛低剖面
SMD，和UA通孔安裝一三引腳SIP。每包
在一個(gè)鉛可（PB）免費(fèi)版本（后綴，–T）與100%霧錫電鍍引線框架。厄爾尼諾包裝有限釋放，工程提供樣品
特征
■微操作
■操作與南北極
■2.5 V至3.5 V電池操作
■斬波穩(wěn)定
優(yōu)越的溫度穩(wěn)定性
極低的開關(guān)點(diǎn)漂移
物理應(yīng)力不敏感
■對(duì)5 kV ESD保護(hù)
■固態(tài)可靠性
■小尺寸
■磁極的獨(dú)立性，容易制造的 |
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