二氧化硅
化學符號：SiO2
分 子 量：60.08
外 觀：透明晶體
熔點：1700℃
沸點：2230℃
密 度：2.2-2.7g/cm3
蒸發(fā)溫度：1800～2200℃，
蒸發(fā)源：電子槍
透明范圍/nm：200～8000
折射率（波長.nm）：n=1.46(500)
n=1.445(1600)
性 能：可用鉭舟加熱蒸發(fā)，也可用三氧化二鋁坩堝加熱蒸發(fā)，但由電阻加熱蒸發(fā)會產(chǎn)生分解，由電子束加熱蒸發(fā)效果很好。
應 用：二氧化硅用途廣泛，主要用于冷光膜、防反膜、多層膜、濾光片、絕緣膜、眼鏡膜、紫外膜等。
分析報告：（99.99%）in ppm
Fe<16 Pb<10 Ai<15 Cu<3 Zn<18 Mn<5 Gr<10 Mg<11 Ti<8 Ni<12
介紹：
SiO2薄膜具有介電性能穩(wěn)定、介質(zhì)損耗小、耐潮性好、溫度系數(shù)小、呈現(xiàn)壓應力，其具有良好的化學穩(wěn)定性，機械性能極為牢固，無吸濕性等優(yōu)點。在混合集成電流中，SiO2薄膜廣泛應用于做薄膜電容器、薄膜電阻器和電阻網(wǎng)絡保護層、多層布線的絕緣層、擴散掩埋層、注射離子阻擋層等。
非晶的SiO2薄膜介電常數(shù)為3.9，禁帶寬度約為9eV（300K），熱導率為1.4W/(m.K)，熱擴散率為0.004cm2/s，線膨脹系數(shù)為5×10-7K-1，耐壓強度為（6～9）×10-6V/cm，電子親和力為1.0eV。
SiO2薄膜損耗小，介電常數(shù)低，常用來制作10～500pF范圍的薄膜電容器。利用SiO2薄膜的絕緣性，SiO2可做各種鈍化層，多層的絕緣層，摻雜的SiO2膜常用來做多晶硅柵與金屬導線之間的絕緣層，可作固態(tài)-固態(tài)擴散層。 |
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