1MHZ以內，以差模干擾為主。
①增大X電容量；
②添加差模電感；
③小功率電源可采用 PI 型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。
1MHZ-5MHZ，差模共模混合，采用輸入端并聯一系列 X 電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并以解決，
①對于差模干擾超標可調整 X 電容量,添加差模電感器，調差模電感量；
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②對于共模干擾超標可添加共模電感,選用合理的電感量來抑制；
③也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如 FR107 一對普通整流二極管1N4007。
5M以上，以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。
對于外殼接地的，在地線上用一個磁環串繞 2-3 圈會對 10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用; 可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環. 處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯電容的大小。
20-30MHZ，
①對于一類產品可以采用調整對地Y2 電容量或改變Y2 電容位置；
②調整一二次側間的Y1 電容位置及參數值；
③在變壓器外面包銅箔；變壓器最里層加屏蔽層；調整變壓器的各繞組的排布。
④改變PCB LAYOUT；
⑤輸出線前面接一個雙線并繞的小共模電感；
⑥在輸出整流管兩端并聯RC濾波器且調整合理的參數；
⑦在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE；
⑧在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容。
⑨可以用增大MOS驅動電阻.
30-50MHZ，普遍是MOS管高速開通關斷引起。
①可以用增大MOS驅動電阻；
②RCD緩沖電路采用1N4007 慢管；
③VCC供電電壓用1N4007 慢管來解決；
④或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感；
⑤在MOSFET的D-S腳并聯一個小吸收電路；
⑥在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE；
⑦在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容；
⑧PCB心LAYOUT 時大電解電容，變壓器，MOS構成的電路環盡可能的小；
⑨變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構成的電路環盡可能的小。
50-100MHZ，普遍是輸出整流管反向恢復電流引起。
①可以在整流管上串磁珠；
②調整輸出整流管的吸收電路參數；
③可改變一二次側跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當的電阻；
④也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點）；
⑤增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射。
200MHZ以上，開關電源已基本輻射量很小，一般可過EMI標準。
補充說明:
開關電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的，以上未加綴述。開關電源是高頻產品，PCB的元器件布局對EMI,請密切注意此點。
開關電源若有機械外殼，外殼的結構對輻射有很大的影響，請密切注意此點。主開關管、主二極管不同的生產廠家參數有一定的差異，對 EMC 有一定的影響，請密切注意此點。
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