晶圓無塵真空氮氣烘烤箱作為半導體制造中的關鍵設備,其核心技術在于真空環境控制、氮氣氛圍維持以及精密溫控系統的協同運作。設備首先通過多級真空泵組實現10-3Pa級高真空環境,消除空氣分子對晶圓表面的氧化影響。真空腔體采用316L不銹鋼材質配合磁流體密封技術,確保真空度穩定性。氮氣供給系統采用99.9999%超高純氮氣,通過質量流量控制器實現進氣速率0.5-5L/min的精確調節,維持工作壓力在100-500Pa范圍。加熱子系統包含石英紅外加熱管與氧化鋁陶瓷加熱板的復合結構,配合PID算法實現室溫至450℃的±0.5℃控溫精度,升溫速率1-10℃/min可調。氣流動力學設計采用Computational Fluid Dynamics優化,確保晶圓表面風速均勻性≤5%。設備集成HEPA與ULPA雙重過濾系統,達到ISO Class 1級潔凈標準。智能控制系統通過PLC與觸摸屏人機界面,實現真空度、溫度、氮氣流量等20余項參數的實時監測與自動調節,具備故障自診斷與數據追溯功能。設備整體符合SEMI F47標準,MTBF超過10萬小時,特別適用于28nm以下先進制程的晶圓烘烤工藝。 |
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