CMP是集成電路制造工藝過程中實現晶圓表面平坦化的關鍵技術，通過化學腐蝕與機械研磨的協同配合作用，實現晶圓表面多余材料的去除與全局納米級平坦化。     
由于半導體技術的快速發展，廠家為了能夠提升芯片產量，并且降低生產成本，晶圓的直徑不斷增大；直徑的增大也就導致了加工過程中容易出現翹曲變形，對于150mm直徑以上的晶圓還會造成邊緣“過磨“的現象，為了不導致拋光質量及晶圓利用率的降低，因此產生了CMP保持環。     
CMP保持環能夠在CMP設備作業過程中起到固定晶圓的作用，將邊緣的拋光墊和晶圓以下的拋光墊按壓到同樣的高度，有效地解決了邊緣“過磨“的問題。
  保持環是采用硅膠材質注塑而成，產品表面存在微小孔洞，并且易粘灰塵，不易從基底剝離。
  在晶圓研磨過程中，研磨藥液滲透至硅膠保持環空洞內，造成晶圓出現研磨不良。
派瑞林由于其膜層致密，自潤滑，耐化學腐蝕的特性，杜絕了以上硅膠保持環存在的問題。大大提升了晶圓研磨良率。
  同時派瑞林涂層還有很多其他的優點：比如的絕緣性，耐高低溫性能，防潮防水耐腐蝕，涂層均勻等等。所以它不僅在硅膠保持環上很適用，在其他很多領域也都得到了廣泛的應用。如果您的產品有這方面的防護需求可以試用下派瑞林涂層方式。 |
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