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第四代半導體工藝設備氧化鎵退火爐

第四代半導體工藝設備氧化鎵退火爐//第四代半導體工藝設備氧化鎵退火爐

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公　司：青島晨立電子有限公司

發布時間：2024年10月23日

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公司主頁：	http://chenlidianzi.qy6.com.cn(加入收藏)

詳細說明

用途：

新型的寬禁帶半導體材料,氧化鎵（Ga2O3）由于自身的優異性能,憑借其比第三代半導體材料SiC和GaN更寬的禁帶，在紫外探測、高頻功率器件等領域吸引了越來越多的關注和研究。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。

青島晨立生產的氧化鎵退火爐主要適用于科研單位、高等院校、研究機構及企業。主要用于2-6英寸氧化鎵的退火等工藝使用。

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