滿足半導體集成電路,電力電子器件,光電子等行業用于在硅片上淀積Si O2、Si 3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜工藝。CVD系統性能特點:
結構形式:1—4管臥式熱壁型
硅片規格:2—8英寸硅片(或125×125mm、156×156mm方片)
溫度范圍:300~1100℃
恒溫區長度及精度:200mm—1000mm(±1℃/24h)
淀積薄膜均勻性: 片內±5%      片間±5%      批間±5%
沉積膜厚度:600~15000A
系統極限真空度:優于1Pa
工作壓力范圍:20~133Pa閉環控制
控制方式:工業微機
送料裝置:懸臂推拉舟、軟著陸系統
淀積薄膜分類:Si 3N4、Si02、PSG、Pply-Si膜
真空泵:羅茨泵、機械泵
工藝氣路:5路氣/管。VCR接口
40KFIz脈寬調制AE高頻電源
裝片量:200片/舟 |
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