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LPCVD設備

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公　司：青島福潤德微電子設備有限公司

發布時間：2024年10月24日

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徐魯陽女士 (客服)

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電　　話： 13668894181 傳　　真： 0532-68017157 手　　機： 13668894181 地　　址：中國山東青島市城陽區北萬工業園6號郵　　編：
公司主頁：	http://xuluyang123.qy6.com.cn(加入收藏)

詳細說明

滿足半導體集成電路，電力電子器件，光電子等行業用于在硅片上淀積SiO2、Si 3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜工藝。CVD系統性能特點：
結構形式：1—4管臥式熱壁型
硅片規格：2—8英寸硅片(或125×125mm、156×156mm方片)
溫度范圍：300～1100℃
恒溫區長度及精度：200ram—1000mm(±1℃／24h)
淀積薄膜均勻性：片內±5％   片間±5％   批間±5％
沉積膜厚度：600～15000A
系統極限真空度：優于1Pa
工作壓力范圍：20～133Pa閉環控制
控制方式：工業微機
送料裝置：懸臂推拉舟、軟著陸系統
淀積薄膜分類：Si 3N4、SiO2、PSG、Poly-Si膜
真空泵：羅茨泵、機械泵
工藝氣路：5路氣／管。VCR接口
40KHz脈寬調制AE高頻電源
裝片量：200片／舟

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