應 用：半導體集成電路及器件的擴散、氧化、合金、退火等工藝
工 藝：擴散（硼擴散、磷擴散等），氧化（干氧氧化、濕氧氧化-去離子水氧化、氫氧合成氧化等），退火，合金等等
結 構：水平結構，垂直結構
晶圓規格：4"、5"、6"、8";
太陽能電池為125×125、156×156
工藝管數：水平結構為1-4管，垂直結構為1管
產品類型：生產型，科研型（R&D-小型）
產品等級：普通級（一般性的科研與生產）
標準級（國際通行技術標準及質量等級，如IC制造等）
系統組成：主機（FURNACE）、氣源柜（GAS/SOURCE CABINET）、 工作臺（LOADSTATION-自動送片/凈化）、計算機控制系統
設備可配套提供典型的工藝及配套解決方案
擴散/氧化爐系統的主要技術指標
爐管配置：1-4管/臺
晶圓規格：4"、5"、6"、8"
爐體控制段：3/5段
恒溫區長：760（800）mm / 1000mm
反應室配置：石英管/碳化硅管
加熱體材料：KANTHAL APM/A-1 或相當
溫度均勻性：800-1300℃ /±0.5℃
300-900℃ /±1℃
工藝溫度范圍：300-1300℃
可控升溫速度：15-20℃/min
降溫速度：（1250～1000℃ ) 8℃/min
控制系統：工業計算機(10"-15"液晶屏)
送片系統：SiC懸臂/雙石英桿
凈化等級：100級或更好
凈化風流：水平或垂直
送片速度：100mm-500mm/min
定位精度：2mm
氣源氣路：EP級316L管道1/4"或3/8"
閥門組件：SWAGELOK或相當
管道焊接：自動軌道焊接
工藝保證：提供典型的工藝 |
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