碳化硅的長期運行可靠性是目前業(yè)內關注的核心問題之一。由于寬禁帶半導體器件本身的特性，如大量的界面陷阱導致的閾值電壓漂移問題，傳統的基于硅器件的失效模型已無法充分覆蓋碳化硅的情況；研究表明需要采取動態(tài)的老化測試手段來進行評估。
針對SiC分立器件和模塊，廣電計量參照JEDEC、AECQ101及AQG324標準進行檢測驗證，能力不僅覆蓋用于驗證傳統Si器件長期穩(wěn)定性的所有方法，還開發(fā)了針對SiC器件不同運行模式的特定試驗，在較短時間內了解功率器件的老化特性，見表1。
表1 SiC器件/模塊特定可靠性試驗
DGS（Dynamic gate stress）測試  
DGS測試在測試過程中，會向DUT（待測器件）的柵極以矩形波信號形式施加應力信號，應力循環(huán)作用期間，會同時將DUT調整至所需的應力溫度。按照規(guī)定的時間間隔要求，暫停施加應力，并測量DUT的Vth。DGS測試主要是用于檢查多個SiC芯片并聯不均流問題，檢測模塊Layout對SiC芯片動態(tài)Vth漂移、Rdson增加以及效率降低的影響。
DRB（Dynamic reverse bias）測試
DRB測試主要是通過高du/dt的作用，完成對器件內部鈍化層結構的充放電，從而達到對SiC器件加速老化的目的。DRB測試能夠較好的檢測出SiC器件鈍化層結構的缺陷，也能夠發(fā)現生產過程中以及封裝材料里的有害離子污染。因此，對于SiC功率器件來說，動態(tài)的反偏測試是強烈建議的。
廣電計量參照JEDEC、AECQ101及AQG324標準進行檢測驗證，在較短時間內了解功率器件的老化特性。試驗咨詢：鐘工 150-1416-647 |
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