日立能源公司的SPT（軟穿孔）芯片組及其損耗較低的改進版本（SPT+和SPTSPT++）分別為1200 V和1700 V。由于芯片的適度收縮，它們具有每額定電流輸出功率*高的芯片面積。除了這些成熟的平面芯片技術，從2022年開始，日立能源公司還將增加一個基于*近開發的溝槽精細模式（TFP）技術的新芯片組
1200 V的典型應用是工業驅動器、太陽能、電池備用系統（UPS）和電動汽車。1700 V的應用還包括工業電力轉換和驅動器，風力渦輪機和牽引轉換器。
日立能源公司的LoPak是100%的機械兼容的econo型雙IGBT模塊。它設置了一個新的基準，完全切換性能高達175°C。它是專門為優秀的內部電流共享而設計的，提供*佳的熱利用率和提高的魯棒性。
此外，我們還提供了LoPak 1200 V和1700 V的一個可選功能：預應用的熱界面材料（TIM）。
TIM的使用改善了模塊基板/散熱器接口上的熱傳導，確保了在長期運行中更加穩定。典型應用包括：
風力發電機組
變速驅動器
電源
電能質量
UPS
1968年，日立開發出超高速邏輯混成大規模集成電路技術，1966年研發了硅晶體管LTP的加工技術，1978年大規模推進半導體制造與銷售，后期躍進為全球十大功率半導體生產商。
2018年，日立與ABB達成合作協議，擬110億美元收購ABB的電網業務80.1%的股份，該收購于2020年實際完成，日立和ABB電網業務組建合資企業，完成后的半導體業務歸口在日立ABB電網有限公司–半導體事業部，產品應用于機車牽引，工業及能源傳輸等需要高可靠性的領域。新的日立能源傳承了日立和ABB兩家公司共250年的歷史。公司業務遍布90多個國家，員工約3.6萬，總部位于瑞士。
整合后的系列產品包括門極可關斷晶閘管（GTO），絕緣柵雙極晶體管（IGBT），集成門極換流晶閘管（IGCT），金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、晶閘管（SCR）及二極管等，其在額定電流150至12000安培和額定電壓200至8500伏特的各種應用領域中表現出卓越的性能。 |
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