| 近十幾年智能手機經歷了快速的發展,這一過程中,人們對超薄手機的追求從未停止過,并且近幾年人們的視線開始轉移到對超窄邊框的追求.對于觸屏手機來說,邊框寬度成為影響視覺效果的一大關鍵因素.超窄邊框的實現需要超窄的銀漿線路,而超窄銀漿線路,除了依賴激光蝕刻的精度之外,對銀漿中的納米銀尺寸與性能也有嚴格的要求.本論文將制備好的激光蝕刻銀漿先印刷后烘干,對烘干后的銀漿進行激光蝕刻工藝加工方式,來得到超窄線路.這種工藝的實現,需要納米銀粉與激光蝕刻漿料有比較好的相容性.所以本論文重點研究制備符合激光蝕刻工藝的納米銀粉,以及納米銀粉與激光蝕刻漿料混合工藝方式對烘干后激光蝕刻銀漿性能的影響.本論文使用化學還原的方法來制備納米銀粉,分別探討硝酸銀,抗壞血酸,乙二胺四乙酸二鈉,二水合檸檬酸鈉,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)等試劑的濃度對納米銀制備的影響.當硝酸銀的濃度為0.2 mol/L時,制備的納米銀顆粒在100 nm左右,并且沒有特別大的顆粒,符合激光蝕刻的要求.之后通過單一變量法,確定抗壞血酸與硝酸銀的摩爾比為1:2,二水合檸檬酸鈉與硝酸銀摩爾比為0.1:1,PVP與硝酸銀質量百分比為2%,PH值為1時,制備的納米銀粉尺寸大小合適,與激光蝕刻漿料混合烘干后方阻也比較低,并且沒有使用對環境有嚴重污染的化學試劑 |
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