適用碳化硅二極管、IGBT模塊MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。
主要技術(shù)參數(shù)：
IGBT開關(guān)特性測(cè)試
開關(guān)時(shí)間測(cè)試條件
Ic：50A～1000A Vce：200V～2000V
Vgs：-10V～＋20V Rg：1R～100R可調(diào)(可選擇4檔及外接)
負(fù) 載：感性負(fù)載阻性負(fù)載可切換
電感范圍：100uH，200uH，500uH，1000uH
電阻范圍：0.5R、1R、2R、4R
IGBT開關(guān)特性測(cè)試參數(shù)
開通延遲td(on): 20nS -10uS
上升時(shí)間tr: 20nS -10uS
開通能量Eon： 0.1-1000mJ
關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)：20 nS -10uS
下降時(shí)間 tf： 20nS -10uS
關(guān)斷能量Eoff：0.1-1000mJ
二極管反向恢復(fù)特性測(cè)試
FRD測(cè)試條件：正向電流IF：50A～1000A；反向電壓 Vr：200V~2000V；-di/dt：100A/us～10000A/us ；負(fù)載：感性負(fù)載可選
電感范圍：100uH，200uH，500uH，1000uH
FRD測(cè)試參數(shù)
反向恢復(fù)時(shí)間trr：20nS -2uS
反向恢復(fù)電荷Qc：10nC~10uC；
反向恢復(fù)電流Irm：50A~1000A
反向恢復(fù)損耗Erec：0.1mJ～1000mJ
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
國內(nèi)唯一能對(duì)二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)實(shí)施測(cè)試的設(shè)備。 |
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