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華潤華晶CS12N65FA9R

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公　司：深圳市光華創(chuàng)新科技有限公司

發(fā)布時(shí)間：2022年11月24日

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詳細(xì)說明

描述
CS12N65FA9R，硅N溝道增強(qiáng)型VDMOSFET是通過自對(duì)準(zhǔn)平面技術(shù)獲得的這減少了傳導(dǎo)損耗，改善了開關(guān)性能并增強(qiáng)雪崩能量。晶體管可用于系統(tǒng)的各種電源開關(guān)電路小型化和更高的效率。包裝形式為TO-220F，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

特征
•快速切換
•低導(dǎo)通電阻（Rdson≤0.8Ω)
•低柵極電荷（典型數(shù)據(jù)：40nC）
•低反向轉(zhuǎn)移電容（典型值：9.5pF）
•100%單脈沖雪崩能量測(cè)試

應(yīng)用
適配器和充電器的電源開關(guān)電路。

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