科研實驗專用氧化鉿靶材HfO2磁控濺射靶材
產品介紹
氧化鉿（HfO2）常溫常壓下為白色固體，熔點：2758℃，沸點：5400℃，密度：9.68g/cm3，難溶于水，常溫常壓下穩(wěn)定，避免與酸接觸；當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿；也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經灼燒而得。用于光譜分析及催化劑體系，耐熔材料；是一種具有寬帶隙和高介電常數的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它*可能替代目前硅基集成電路的核心器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO₂/Si結構的發(fā)展的尺寸極限問題。
產品參數
中文名 二氧化鉿 化學式 HfO2 沸點 5400℃
分子量 210.49 熔點 2758℃ 密 度 9.68g/cm3
純度 99.99%
【關于我們】
服務項目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制�？蒲袉挝回浀礁犊睿|量保證，售后無憂！
產品附件：發(fā)貨時產品附帶裝箱單/質檢單/產品為真空包裝
適用儀器：多種型號磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設備 
質量控制：嚴格控制生產工藝，采用輝光放電質譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段，分析雜質元素含量保證材料的高純度與細小晶粒度；可提供質檢報告。 
加工流程：熔煉→提純→鍛造→機加工→檢測→包裝出庫
陶瓷化合物靶材本身質脆且導熱性差，連續(xù)長時間濺射易發(fā)生靶裂情況，綁定背靶后，可提高化合物靶材的導熱性能，提高靶材的使用壽命。我們強烈建議您，選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！
我公司采用高純銦作為焊料，銦焊厚度約為0.2mm，高純無氧銅作為背靶。
注 ：高純銦的熔點約為156℃，靶材工作溫度超過熔點會導致銦熔化！綁定背靶不影響靶材的正常使用！
建議：陶瓷脆性靶材、燒結靶材，高功率下濺射易碎，建議濺射功率不超過3W/cm2。 |
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