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IGBT開關時間損耗參數測試服務 IGBT開關時間損耗參數測試服務// IGBT開關時間損耗參數測試服務

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公 司: 西安長禾半導體技術有限公司 
發布時間:2024年05月08日
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公 司:西安長禾半導體技術有限公司

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    IGBT模塊簡介

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融和了這兩種器件的優點,既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點,又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點,其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內,在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用,在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。

可知,若在IGBT的柵極G和發射極E之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極C與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOS 截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極G—發射極E間施加十幾V的直流電壓,只有在uA級的漏電流流過,基本上不消耗功率。


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