回收各種高頻管 高頻管系列收購 DDR4較以往不同的是改采VDDQ的終端電阻設計，V- 目前計劃中的傳輸速率進展到3，200Mbps，比目前高速的DDR3-2133傳輸速率快了50%，將來不排除直達4，266Mbps；Bank數也大幅增加到16個（x4/x8）或8個（x16/32），這使得采x8設計的單一DDR4存儲器模組，容量就可達到16GB容量。
而DDR4運作電壓僅1.2V，比DDR3的1.5V低了至少20%，也比DDR3L的1.35V還低，更比目前x86 Ultrabook/Tablet使用的低功耗LP-DDR3的1.25V還要低，再加上DDR4一次支援深度省電技術（Deep Power Down），進入休眠模式時無須更新存儲器，或僅直接更新DIMM上的單一存儲器顆粒，減少35%~50%的待機功耗。
將來邁入20納米制程時，會導入3D立體堆疊加矽鉆孔（3D Stacks+TSV）封裝技術，以及針對繪圖芯片、移動設備提出低腳位數的Wide I/O，來提升DRAM存儲器單位容量與頻寬。
英特爾將分別把DDR4規格導入伺服器／工作站平臺，以及桌上型電腦平臺（High-End DeskTop；HEDT）。前者是伺服器處理器XEON E5-2600處理器（代號Haswell-EP），搭配的DDR4存儲器為2，133Mbps（DDR4-2133）；后者則是預定第三季推出的8核心Intel Core i7 Extreme Edition處理器，同樣搭配DDR4-2133存儲器，以及支援14組USB 3.0、10組SATA6Gbps的X99芯片組，成為2014第4季至2015年上半年英特爾強悍的桌上型電腦平臺組合。
而超微（AMD）下一代APU（代號Carrizo）已延遲至2015年登場，但其存儲器支援性仍停留在DDR3。至于移動設備部份，安謀（ARM）針對伺服器市場打造的64位元Cortex-A57處理器核心，已預留對DDR4存儲器支援，而第三方IP供應商也提供了相關的DDR4 PHY IP。
三星于2013年底量產20納米制程的4GB存儲器顆粒，將32GB的存儲器推向伺服器市場；2014年1月推出移動設備用的低功耗DDR4（LP-DDR4）。SK海力士在2014年4月借助矽鉆孔（TSV）技術，開發出單一DDR4芯片外觀、容量達128GB。市場預料DDR4將與DDR3（DDR3L、LP-DDR3）等共存一段時間，預計到2016年才會超越DDR3而成為市場主流。 |
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