西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測試實(shí)驗(yàn)室(簡稱長禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市高新技術(shù)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件測試服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，是國家CNAS 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室，屬于國家大功率器件測試服務(wù)中心。
長禾實(shí)驗(yàn)室擁有*端的系統(tǒng)設(shè)備、專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和完善的服務(wù)體系。實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有先進(jìn)的測試儀器設(shè)備100余臺套，專業(yè)測試人員20余名。我們緊跟國際國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，以客戶需求為導(dǎo)向，不斷創(chuàng)新服務(wù)項(xiàng)目和檢測技術(shù)，借助便利的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，為合作伙伴提供優(yōu)質(zhì)高效的技術(shù)服務(wù)。
長禾實(shí)驗(yàn)室專注于功率半導(dǎo)體器件的動、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗(yàn)、熱阻測試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位、軍工院所、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）應(yīng)用解決方案服務(wù)商。
長禾實(shí)驗(yàn)室秉承創(chuàng)新務(wù)實(shí)的經(jīng)營理念，為客戶提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)、完善的解決方案及全方位的技術(shù)支持；同時(shí)注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流，測試技術(shù)與服務(wù)水平不斷提升。
誠信立世，感恩回饋，歡迎選擇長禾實(shí)驗(yàn)室做您忠誠的合作伙伴，共謀發(fā)展大計(jì)！
檢測項(xiàng)目 覆蓋產(chǎn)品 檢測能力 參考標(biāo)準(zhǔn)
功率循環(huán)試驗(yàn)（PC） IGBT模塊 ΔTj=100℃ 電壓電流*大1800A 12V IEC 客戶自定義
高溫反偏試驗(yàn)（HTRB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 溫度*高150℃； 電壓*高2000V 美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高溫門極試驗(yàn)（HTGB） MOSFET、SiC MOS等單管器件 溫度*高150℃； 電壓*高2000V 美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高溫工作壽命試驗(yàn)（HTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 溫度*高150℃ 電壓*高2000V 美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
低溫工作壽命試驗(yàn)（LTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 溫度*低-80℃ 電壓*高2000V 美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高溫儲存試驗(yàn)（HTSL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 溫度*高150℃； 美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
低溫儲存試驗(yàn)（LTSL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 溫度*低-80℃ 美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高溫高濕試驗(yàn)（THB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 溫度*高180℃ 濕度范圍：10%~98% 美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義 |
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