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日本進口氧化鎂MgO靶隧道磁電阻TMR

日本進口氧化鎂MgO靶隧道磁電阻TMR//日本進口氧化鎂MgO靶隧道磁電阻TMR

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公　司：上海錫霖國際貿易有限公司

發布時間：2023年11月17日

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隧道磁電阻效應編輯討論上傳視頻
鐵磁薄片的磁化方向可以在外磁場的控制下被獨立的切換。如果極化方向平行，那么電子隧穿過絕緣層的可能性會更大，其宏觀表現為電阻小；如果極化方向反平行，那么電子隧穿過絕緣層的可能性較小，其宏觀表現是電阻極大。因此，這種結可以在兩種電阻狀態中切換，即高阻態和低阻態。
隨著GMR效應研究的深入，TMR效應開始引起人們的重視。盡管金屬多層膜可以產生很高的GMR值，但強的反鐵磁耦合效應導致飽和場很高，磁場靈敏度很小，從而限制了GMR效應的實際應用。MTJs中兩鐵磁層間不存在或基本不存在層間耦合，只需要一個很小的外磁場即可將其中一個鐵磁層的磁化方向反向，從而實現隧穿電阻的巨大變化，故MTJs較金屬多層膜具有高得多的磁場靈敏度。同時，MTJs這種結構本身電阻率很高、能耗小、性能穩定。因此，MTJs無論是作為讀出磁頭、各類傳感器，還是作為磁隨機存儲器(MRAM)，都具有無與倫比的優點，其應用前景十分看好，引起世界各研究小組的高度重視。 [1

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