檢測項目 覆蓋產品 檢測能力 參考標準
直流參數 MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產品； 檢測*大電壓：7500V 檢測*大電流：6000A 國標，IEC
雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導體器件等單管器件 檢測*大電壓：2500V 檢測*大電流：200A 美軍標
柵極電阻 MOSFET、IGBT及第三代半導體器件 檢測阻抗：0.1Ω～50Ω JEDEC
開關時間 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體單管器件； 檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：200A 美軍標，國標，IEC等
開關時間 IGBT等模塊產品 檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：4000A 國標，IEC
反向恢復 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件 檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：200A 美軍標，國標，IEC等
反向恢復 IGBT等模塊產品 檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：4000A 國標，IEC
柵極電荷 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件 檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：200A 美軍標，國標，IEC等
柵極電荷 IGBT等模塊產品 檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：4000A 國標，IEC
短路耐量能力 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件 檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：1000A 美軍標，國標，IEC等
短路耐量能力 IGBT等模塊產品 檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：10000A 國標，IEC
結電容 MOSFET、IGBT及第三代半導體器件等單管器件 檢測*大電壓：3000V IEC
參數曲線掃描 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件等單管器件的I-V、C-V曲線 檢測*大電壓：3000V 檢測*大電流：1500A 溫度：-70°C~180°C 美軍標，IEC等
熱阻性能 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件等單管產品 *大功率：250W 美軍標，JEDEC
熱阻性能 IGBT等模塊產品 *大功率：4000W 美軍標，JEDEC
ESD能力 MOSFET、IGBT、IC等產品 HBM*大電壓：8000V；MM*大電壓：800V 美軍標，ANSI，JEDEC等
*正向浪涌能力 DIODE（Si/SiC）、整流橋 檢測*大電流：800A 美軍標，國標 |
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