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功率半導體模塊雙脈沖測試服務實驗室

功率半導體模塊雙脈沖測試服務實驗室//功率半導體模塊雙脈沖測試服務實驗室

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公　司：西安長禾半導體技術有限公司

發布時間：2024年05月08日

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蒲經理先生 (運營經理)

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電　　話： 17792574070 傳　　真：手　　機： 17792574070 地　　址：中國陜西西安市高新區錦業路69號創新商務公寓1號樓0310室郵　　編：
公司主頁：	http://chbdt.qy6.com.cn(加入收藏)

詳細說明

檢測項目覆蓋產品檢測能力參考標準
直流參數 MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產品；檢測*大電壓：7500V 檢測*大電流：6000A 國標，IEC
雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導體器件等單管器件檢測*大電壓：2500V 檢測*大電流：200A 美軍標
柵極電阻 MOSFET、IGBT及第三代半導體器件檢測阻抗：0.1Ω～50Ω JEDEC
開關時間 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體單管器件；檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：200A 美軍標，國標，IEC等
開關時間 IGBT等模塊產品檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：4000A 國標，IEC
反向恢復 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：200A 美軍標，國標，IEC等
反向恢復 IGBT等模塊產品檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：4000A 國標，IEC
柵極電荷 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：200A 美軍標，國標，IEC等
柵極電荷 IGBT等模塊產品檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：4000A 國標，IEC
短路耐量能力 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：1000A 美軍標，國標，IEC等
短路耐量能力 IGBT等模塊產品檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：10000A 國標，IEC
結電容 MOSFET、IGBT及第三代半導體器件等單管器件檢測*大電壓：3000V IEC
參數曲線掃描 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件等單管器件的I-V、C-V曲線檢測*大電壓：3000V 檢測*大電流：1500A 溫度：-70°C~180°C 美軍標，IEC等
熱阻性能 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件等單管產品 *大功率：250W 美軍標，JEDEC
熱阻性能 IGBT等模塊產品 *大功率：4000W 美軍標，JEDEC
ESD能力 MOSFET、IGBT、IC等產品 HBM*大電壓：8000V；MM*大電壓：800V 美軍標，ANSI，JEDEC等
*正向浪涌能力 DIODE（Si/SiC）、整流橋檢測*大電流：800A 美軍標，國標

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聯系人：蒲經理電話：17792574070

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