欧美日韩一区免费,亚洲精品一区二区三区av,嫩呦国产一区二区三区av

首頁

企業(yè)名錄

產(chǎn)品大全

您當(dāng)前位置是：產(chǎn)品大全 >> 儀器儀表 >> 電子測量儀器 

MOSFET、IGBT直流電參數(shù)測試服務(wù)中心

MOSFET、IGBT直流電參數(shù)測試服務(wù)中心//MOSFET、IGBT直流電參數(shù)測試服務(wù)中心

瀏覽大圖

公　司：西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

發(fā)布時間：2024年05月08日

留言詢價

加為商友

聯(lián)系信息

企業(yè)信息

蒲經(jīng)理先生 (運營經(jīng)理)

聯(lián)系時，請說是在企業(yè)錄看到的，謝謝！

電　　話： 17792574070 傳　　真：手　　機： 17792574070 地　　址：中國陜西西安市高新區(qū)錦業(yè)路69號創(chuàng)新商務(wù)公寓1號樓0310室郵　　編：
公司主頁：	http://chbdt.qy6.com.cn(加入收藏)

詳細(xì)說明

檢測項目覆蓋產(chǎn)品檢測能力參考標(biāo)準(zhǔn)
直流參數(shù) MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產(chǎn)品；檢測*大電壓：7500V 檢測*大電流：6000A 國標(biāo)，IEC
雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件檢測*大電壓：2500V 檢測*大電流：200A 美軍標(biāo)
柵極電阻 MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件檢測阻抗：0.1Ω～50Ω JEDEC
開關(guān)時間 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體單管器件；檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：200A 美軍標(biāo)，國標(biāo)，IEC等
開關(guān)時間 IGBT等模塊產(chǎn)品檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：4000A 國標(biāo)，IEC
反向恢復(fù) MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：200A 美軍標(biāo)，國標(biāo)，IEC等
反向恢復(fù) IGBT等模塊產(chǎn)品檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：4000A 國標(biāo)，IEC
柵極電荷 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：200A 美軍標(biāo)，國標(biāo)，IEC等
柵極電荷 IGBT等模塊產(chǎn)品檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：4000A 國標(biāo)，IEC
短路耐量能力 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：1000A 美軍標(biāo)，國標(biāo)，IEC等
短路耐量能力 IGBT等模塊產(chǎn)品檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：10000A 國標(biāo)，IEC
結(jié)電容 MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件檢測*大電壓：3000V IEC
參數(shù)曲線掃描 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件的I-V、C-V曲線檢測*大電壓：3000V 檢測*大電流：1500A 溫度：-70°C~180°C 美軍標(biāo)，IEC等
熱阻性能 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管產(chǎn)品 *大功率：250W 美軍標(biāo)，JEDEC
熱阻性能 IGBT等模塊產(chǎn)品 *大功率：4000W 美軍標(biāo)，JEDEC
ESD能力 MOSFET、IGBT、IC等產(chǎn)品 HBM*大電壓：8000V；MM*大電壓：800V 美軍標(biāo)，ANSI，JEDEC等
*正向浪涌能力 DIODE（Si/SiC）、整流橋檢測*大電流：800A 美軍標(biāo)，國標(biāo)

免責(zé)聲明：以上所展示的信息由會員自行提供，內(nèi)容的真實性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會員負(fù)責(zé)，www.qy6.com對此不承擔(dān)任何責(zé)任。如有侵犯您的權(quán)益，請來信通知刪除。

該公司其他產(chǎn)品信息

·功率半導(dǎo)體模塊高溫反偏試驗（HTRB）測試服
·IGBT，SIC MOS半導(dǎo)體動態(tài)測試服務(wù)
·IGBT,SiC MOS輸入電容測試服務(wù)
·IGBT動態(tài)參數(shù)測試服務(wù)（
·功率半導(dǎo)體模塊可靠性雪崩浪涌功率循環(huán)
· IGBT,SiC MOS結(jié)電容測試服務(wù)（長禾實驗室
·MOSFET、IGBT反向恢復(fù)測試實驗室
·IGBT模塊開關(guān)特性測試實驗室
·電子元器件測試分析可靠性實驗室
·MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半
·功率半導(dǎo)體模塊雙脈沖測試服務(wù)實驗室
·MOSFET、IGBT、DIODE雪崩能力測試中心
·IGBT模塊工作原理以及檢測服務(wù)
·IGBT,SiC MOS輸入電容測試服務(wù)
·MOSFET、IGBT直流電參數(shù)測試服務(wù)中心
·分立器件IGBT電參數(shù)測試服務(wù)
·電力電子器件 IGBT MOS測試分析實驗室
·低溫存儲測試
·半導(dǎo)體電子元器件高溫門極試驗（HTGB）測試
·IGBT模塊測試分析實驗室（長禾半導(dǎo)體實驗室
·MOSFET電子器件失效分析實驗室
·IGBT模塊功率循環(huán)試驗（PC）測試實驗室
·分立器件IGBT電參數(shù)測試服務(wù)
·功率半導(dǎo)體模塊可靠性雪崩浪涌功率循環(huán)
·IGBT電子元器件失效分析實驗室
·長禾第三方功率器件檢測中心IGBT測試
· IGBT開關(guān)時間損耗參數(shù)測試服務(wù)
·MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件單
·半導(dǎo)體模塊IGBT測試服務(wù)
·MOSFET、IGBT柵極電阻測試服務(wù)中心

1 2 直接到第頁

共 40 條信息，當(dāng)前顯示第 1 - 30 條，共 2 頁

1 2 3 4 5 6 7 ..

聯(lián)系人：蒲經(jīng)理電話：17792574070

<strike id="k2oq2"></strike>

<fieldset id="k2oq2"></fieldset>

<ul id="k2oq2"></ul>