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MOSFET、IGBT直流電參數(shù)測(cè)試服務(wù)中心 MOSFET、IGBT直流電參數(shù)測(cè)試服務(wù)中心//MOSFET、IGBT直流電參數(shù)測(cè)試服務(wù)中心

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公 司: 西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 
發(fā)布時(shí)間:2024年05月08日
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    檢測(cè)項(xiàng)目 覆蓋產(chǎn)品 檢測(cè)能力 參考標(biāo)準(zhǔn)
直流參數(shù) MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產(chǎn)品; 檢測(cè)*大電壓:7500V 檢測(cè)*大電流:6000A 國(guó)標(biāo),IEC
雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測(cè)*大電壓:2500V 檢測(cè)*大電流:200A 美軍標(biāo)
柵極電阻 MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件 檢測(cè)阻抗:0.1Ω~50Ω JEDEC
開關(guān)時(shí)間 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體單管器件; 檢測(cè)*大電壓:1200V 檢測(cè)*大電流:200A 美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),IEC等
開關(guān)時(shí)間 IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測(cè)*大電壓:2700V 檢測(cè)*大電流:4000A 國(guó)標(biāo),IEC
反向恢復(fù) MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測(cè)*大電壓:1200V 檢測(cè)*大電流:200A 美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),IEC等
反向恢復(fù) IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測(cè)*大電壓:2700V 檢測(cè)*大電流:4000A 國(guó)標(biāo),IEC
柵極電荷 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測(cè)*大電壓:1200V 檢測(cè)*大電流:200A 美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),IEC等
柵極電荷 IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測(cè)*大電壓:2700V 檢測(cè)*大電流:4000A 國(guó)標(biāo),IEC
短路耐量能力 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測(cè)*大電壓:1200V 檢測(cè)*大電流:1000A 美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),IEC等
短路耐量能力 IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測(cè)*大電壓:2700V 檢測(cè)*大電流:10000A 國(guó)標(biāo),IEC
結(jié)電容 MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測(cè)*大電壓:3000V IEC
參數(shù)曲線掃描 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導(dǎo)體器件等單管器件的I-V、C-V曲線 檢測(cè)*大電壓:3000V 檢測(cè)*大電流:1500A 溫度:-70°C~180°C 美軍標(biāo),IEC等
熱阻性能 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導(dǎo)體器件等單管產(chǎn)品 *大功率:250W 美軍標(biāo),JEDEC
熱阻性能 IGBT等模塊產(chǎn)品 *大功率:4000W 美軍標(biāo),JEDEC
ESD能力 MOSFET、IGBT、IC等產(chǎn)品 HBM*大電壓:8000V;MM*大電壓:800V 美軍標(biāo),ANSI,JEDEC等
*正向浪涌能力 DIODE(Si/SiC)、整流橋 檢測(cè)*大電流:800A 美軍標(biāo),國(guó)標(biāo)


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