精品国产91九色蝌蚪,欧美一区二区视频97,国产精品区一区

<tfoot id="qu242"></tfoot>

<ul id="qu242"></ul>

<ul id="qu242"></ul>

您當前位置是：產品大全 >> 儀器儀表 >> 電子測量儀器 

MOSFET、IGBT直流電參數測試服務中心

MOSFET、IGBT直流電參數測試服務中心//MOSFET、IGBT直流電參數測試服務中心

瀏覽大圖

公　司：西安長禾半導體技術有限公司

發布時間：2024年05月08日

留言詢價

加為商友

聯系信息

企業信息

蒲經理先生 (運營經理)

聯系時，請說是在企業錄看到的，謝謝！

電　　話： 17792574070 傳　　真：手　　機： 17792574070 地　　址：中國陜西西安市高新區錦業路69號創新商務公寓1號樓0310室郵　　編：
公司主頁：	http://chbdt.qy6.com.cn(加入收藏)

詳細說明

檢測項目覆蓋產品檢測能力參考標準
直流參數 MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產品；檢測*大電壓：7500V 檢測*大電流：6000A 國標，IEC
雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導體器件等單管器件檢測*大電壓：2500V 檢測*大電流：200A 美軍標
柵極電阻 MOSFET、IGBT及第三代半導體器件檢測阻抗：0.1Ω～50Ω JEDEC
開關時間 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體單管器件；檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：200A 美軍標，國標，IEC等
開關時間 IGBT等模塊產品檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：4000A 國標，IEC
反向恢復 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：200A 美軍標，國標，IEC等
反向恢復 IGBT等模塊產品檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：4000A 國標，IEC
柵極電荷 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：200A 美軍標，國標，IEC等
柵極電荷 IGBT等模塊產品檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：4000A 國標，IEC
短路耐量能力 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：1000A 美軍標，國標，IEC等
短路耐量能力 IGBT等模塊產品檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：10000A 國標，IEC
結電容 MOSFET、IGBT及第三代半導體器件等單管器件檢測*大電壓：3000V IEC
參數曲線掃描 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件等單管器件的I-V、C-V曲線檢測*大電壓：3000V 檢測*大電流：1500A 溫度：-70°C~180°C 美軍標，IEC等
熱阻性能 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件等單管產品 *大功率：250W 美軍標，JEDEC
熱阻性能 IGBT等模塊產品 *大功率：4000W 美軍標，JEDEC
ESD能力 MOSFET、IGBT、IC等產品 HBM*大電壓：8000V；MM*大電壓：800V 美軍標，ANSI，JEDEC等
*正向浪涌能力 DIODE（Si/SiC）、整流橋檢測*大電流：800A 美軍標，國標

免責聲明：以上所展示的信息由會員自行提供，內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責，www.qy6.com對此不承擔任何責任。如有侵犯您的權益，請來信通知刪除。

該公司其他產品信息

·分立器件IGBT電參數測試服務
·MOSFET、IGBT、DIODE雪崩能力測試中心
·高低功率IGBT模塊靜態測試，動態測試第三方
·長禾第三方功率器件檢測中心IGBT測試
·低溫存儲測試
·電力電子器件 IGBT MOS測試分析實驗室
·高低功率IGBT模塊靜態測試，動態測試第三方
·長禾半導體測試服務IGBT測試
·功率半導體模塊雙脈沖測試服務實驗室
· IGBT功率器件測試_半導體測試-長禾半導
·MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體單管器
·MOSFET、IGBT柵極電阻測試服務中心
·MOSFET電子器件失效分析實驗室
· IGBT,SiC MOS結電容測試服務（長禾實驗室
·半導體電子元器件高溫門極試驗（HTGB）測試
·功率半導體模塊可靠性雪崩浪涌功率循環
·分立器件IGBT電參數測試服務
·IGBT電子元器件失效分析實驗室
·MOSFET、IGBT直流電參數測試服務中心
·IGBT模塊測試分析實驗室（長禾半導體實驗室
·IGBT模塊工作原理以及檢測服務
· IGBT開關時間損耗參數測試服務
·電力電子器件 IGBT MOS測試分析實驗室
·MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件單
·IGBT,SiC MOS輸入電容測試服務
·功率半導體模塊可靠性雪崩浪涌功率循環
·DIODE（Si/SiC）、整流橋浪涌電流測試實驗
·MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半
·功率半導體模塊高溫反偏試驗（HTRB）測試服
·IGBT模塊功率循環試驗（PC）測試實驗室

1 2 直接到第頁

共 40 條信息，當前顯示第 1 - 30 條，共 2 頁

1 2 3 4 5 6 7 ..

聯系人：蒲經理電話：17792574070

<fieldset id="s2w2m"></fieldset>

<fieldset id="s2w2m"></fieldset>

<fieldset id="s2w2m"></fieldset>

<ul id="s2w2m"></ul>