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IGBT模塊測(cè)試分析實(shí)驗(yàn)室（長(zhǎng)禾半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室）

IGBT模塊測(cè)試分析實(shí)驗(yàn)室（長(zhǎng)禾半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室）//IGBT模塊測(cè)試分析實(shí)驗(yàn)室（長(zhǎng)禾半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室）

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公　司：西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

發(fā)布時(shí)間：2024年05月08日

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西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)室(簡(jiǎn)稱長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市高新技術(shù)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件測(cè)試服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，是國(guó)家CNAS 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室，屬于國(guó)家大功率器件測(cè)試服務(wù)中心。
長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室擁有*端的系統(tǒng)設(shè)備、專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和完善的服務(wù)體系。實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有先進(jìn)的測(cè)試儀器設(shè)備100余臺(tái)套，專業(yè)測(cè)試人員20余名。我們緊跟國(guó)際國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，以客戶需求為導(dǎo)向，不斷創(chuàng)新服務(wù)項(xiàng)目和檢測(cè)技術(shù)，借助便利的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，為合作伙伴提供優(yōu)質(zhì)高效的技術(shù)服務(wù)。
長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室專注于功率半導(dǎo)體器件的動(dòng)、靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)、可靠性檢測(cè)、失效分析、溫循試驗(yàn)、熱阻測(cè)試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國(guó)內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位、軍工院所、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）應(yīng)用解決方案服務(wù)商。
長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室秉承創(chuàng)新務(wù)實(shí)的經(jīng)營(yíng)理念，為客戶提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)、完善的解決方案及全方位的技術(shù)支持；同時(shí)注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流，測(cè)試技術(shù)與服務(wù)水平不斷提升。
檢測(cè)項(xiàng)目覆蓋產(chǎn)品檢測(cè)能力參考標(biāo)準(zhǔn)
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高溫門極試驗(yàn)（HTGB） MOSFET、SiC MOS等單管器件溫度*高150℃；電壓*高2000V 美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高溫工作壽命試驗(yàn)（HTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件溫度*高150℃ 電壓*高2000V 美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
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