ENX2020功率器件雪崩耐量測試系統(tǒng)是本公司研發(fā)設計的測試Si DIODE、Si MOSFET、Si IGBT和SiC DIODE、SiC MOSFET、SiC IGBT雪崩耐量的專業(yè)測試設備，系統(tǒng)滿足美軍標MIL-STD-750F·3470，能夠準確快速的測試出IGBT、MOS、二極管的雪崩耐量。該設備包括：可控直流電源、可選電感、霍爾電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓、功率型器件、功率型器件保護電路、計算機控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試適配器（可定制）、外接測試端口等多個部分。
ENX2020 雪崩耐量測試系統(tǒng)
功能指標：
測試參數(shù)
功能指標
雪崩電壓Va
10- 2500 V，分辨率1V
漏極電壓
10-150 V，分辨率1V
柵極電壓
2-20V，分辨率1V
漏極電流Ia
1A-100A，分辨率0.1A
漏電測試
電壓= 2V-150V，I = 1.0 mA；Imax = 8.0 mA
雪崩能量 Eas/Ear
1mJ -100J ，分辨率1mJ
感性負載
0.01 mH-159.9 mH 程控式電感，分辨率10uH
參數(shù)輸入
GPIB輸入
波形捕捉和分析
雪崩電流 Ia、雪崩電壓 Va 和雪崩能量 Eas波形可在示波器和工控機顯示器上同時捕捉觀察
輸出
兩路獨立輸出，用于測試 N，P 或者組合的 MOSFET，IGBT。
外部接口
PTNET：網(wǎng)絡連接和控制的 PTNET,
提供最多 50 個虛擬 BIN；
Handler 接口：15-bin 控制的機械手接口； |
|
手機站
您當前位置是：產(chǎn)品大全 >> 儀器儀表 >>
實驗儀器裝置
免責聲明：以上所展示的信息由會員自行提供，內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責，www.qy6.com對此不承擔任何責任。如有侵犯您的權益，請來信通知刪除。
聯(lián)系信息
