EN-1230A型分立器件動態參數測試系統是針對于半導體器件進行非破壞性瞬態測試。用于可用于Si DIODE、Si MOSFET、Si IGBT和SiC DIODE、SiC MOSFET、SiC IGBT的動態參數測試。系統的測試原理符合相應的國家標準、軍標、系統為獨立式單元，封閉式結構，具有升級擴展潛能。選件豐富，通過選件的靈活搭配組合實現相應的測試功能，PC為系統主控計算機，測試結果可輸出為EXCEL及文本格式。
EN-1230A 分立器件動態參數測試系統
參數條件：
基本參數/Basic parameters
功率源/Power source
阻性/感性開關特性單元
Resistance/Inductance
Switching performance unit
脈寬/Pulse width：50μs~2000μs、0.1μs步徑/Steps 時間分辨率：1ns
柵極驅動/Gate drive：±30V，分辨率0.1V
電阻/Resistance：定制/Commission
漏極電壓/Drain voltage：5V~1500V，分辨率1V
電流/current：1.0~300A，分辨率/Resolution:1.0A
電感/Inductance：0.01mH~160mH，分辨率10μH，程控式連續可調
測試參數：開啟延遲時間（td(on))、關斷延遲時間（td(off))、上升時間（tr)、下降時間（tf)
柵極電荷單元
Gate charge unit
柵極驅動電流/Gate drive current：0~200mA，分辨率1.0mA
柵極電壓/Gate voltage：±30V，分辨率±0.1V
電流/current：1.0~300A，分辨率/Resolution:1.0A
漏級電壓/Drain voltage：5V~1500V，分辨率1V
柵極等效電阻范圍/Gate equivalent resistance：0.1~50Ω，可調/Adjustable
測試參數：柵電荷（Qg)、柵源電荷（Qgs)、柵漏電荷（Qgd)、平臺電壓（Vgp)
反向恢復特性單元
Reverse recovery charge
test unit
正向電流（IF）：≤300A，分辨率0.1A
反向恢復時間（Trr）：10ns~2.0μs，分辨率1ns
反向恢復電流（Irm）：≤300A
反向恢復電荷（Qrr）：1nC~100μC，分辨率1nC
反向電壓（Vr）：5V~1500V，step1V
電感/Inductance：0.01mH~160mH，分辨率10μH,程控式連續可調
短路特性
Short circuit performance
*大電流/Max current：1000A
柵極驅動/Gate drive：±30V，分辨率 0.1V
脈沖時間/Pulse width：5us~100us
漏極電壓/Drain voltage：5V~1500V，Step1V
測試參數/Test parameters：短路電流Isc |
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