設備擴展性強，通過選件可以提高電壓、電流和測試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務。系統采用帶有開爾文感應結構的測試插座，自動補償由于系統內部及測試電纜長度引起的任何壓降，保證測試結果準確可靠。面板顯示裝置可及時顯示系統的各種工作狀態和測試結果,前面板的功能按鍵方便了系統操作。通過功能按鍵，系統可以脫離主控計算機獨立完成多種工作。
系統支持 Si 器件和 SiC 器件的靜態參數測試。
ENJ2005-B 半導體分立器件測試系統
測試參數：
漏電參數：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
擊穿參數：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、 BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益參數：hFE、CTR、gFS、
導通參數：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合參數：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
關斷參數：VGSOFF
觸發參數：IGT、VGT
保持參數：IH、IH+、IH-
鎖定參數：IL、IL+、IL-
基礎配置：
技術參數
ENJ2005-B型
主極電流
100nA-50A
擴展電流
100A、500A、1000A、1200A
電壓分辨率
1mV
電流分辨率
1nA(可擴展至10pA)
測試精度
0.2%+2LSB
測試速度
0.5mS/參數 |
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