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富士通鐵電存儲器，F(xiàn)UJITSU FRAM，替代Ramtron型號

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公　司：上海本宏電子科技有限公司

發(fā)布時間：2020年05月27日

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詳細說明

富士通鐵電存儲器FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及醫(yī)療設(shè)備及醫(yī)療RFID標簽等醫(yī)療領(lǐng)域。近年來，還被應(yīng)用于可穿戴設(shè)備、工業(yè)機器人以及無人機中。

富士通鐵電存儲器FRAM（Ferroelectric Random Access Memory）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能

富士通鐵電存儲器FRAM，可以完全取代Ramtron型號，完全兼容Cypress鐵電。

MB85RC16PNF-G-JNERE1 16K bits 2K x 8 27V-36V 1MHz 1012 20年 SOP8 與FM24CL16B完全兼容替代；

MB85RC64PNF-G-JNERE1 64K bits 8K x 8 2.7 V - 3.6 V 1MHz 1012 20年 SOP8 與FM24CL64和FM24CL64B完全兼容替代；

MB85RC128PNF-G-JNERE1 128K bits 16K x 8 2.7 V - 3.6 V 1MHz 1012 20年 SOP8 與FM24V01完全兼容替代

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