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1級(jí)試驗(yàn)in100KA浪涌保護(hù)器up2.5kv

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公　司：揚(yáng)州浪涌電氣有限公司

發(fā)布時(shí)間：2024年07月10日

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詳細(xì)說明

為什么普通壓敏芯片無法做到擊穿點(diǎn)在中部？
壓敏電阻通常燒成溫度在1150～1200℃之間，壓敏電阻中的氧化鉍、氧化銻等低熔點(diǎn)物質(zhì)在800～950℃即已經(jīng)是液態(tài)，高溫?zé)上聲?huì)形成氣態(tài)進(jìn)一步揮發(fā)，這種揮發(fā)主要發(fā)生在四周側(cè)面，其后果是構(gòu)成一個(gè)從側(cè)面邊緣到中部的低熔點(diǎn)物質(zhì)濃度差分布，嚴(yán)重者在邊緣地區(qū)形成一個(gè)低熔點(diǎn)物質(zhì)的貧化帶，做8/20μS模擬雷電沖擊都有可能將之擊穿。所以是壓敏芯片的傳統(tǒng)制造工藝決定了其擊穿點(diǎn)只會(huì)在邊緣，而且越靠近邊緣越薄弱易擊穿。這就決定指望用加大銅電極面積來遮蓋擊穿點(diǎn)的方法不僅是徒勞的（因?yàn)閾舸c(diǎn)總會(huì)出現(xiàn)在導(dǎo)電體的邊緣），而且還有隱患（更容易擊穿）。
YLSP-T1-15KA/4P-385V（10/350us） Iimp=15kA
YLSP-T1-25KA/4P-320V（10/350us） Iimp=25kA
YLSP-T1-35KA/4P-320V（10/350us） Iimp=35kA
YLSP-T1-50KA/4P-320V（10/350us） Iimp=50kA
1級(jí)試驗(yàn)in100KA浪涌保護(hù)器up2.5kv 揚(yáng)州浪涌電氣有限公司專業(yè)制造！

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