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1級試驗in100KA浪涌保護器up2.5kv

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公　司：揚州浪涌電氣有限公司

發布時間：2024年07月10日

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詳細說明

為什么普通壓敏芯片無法做到擊穿點在中部？
壓敏電阻通常燒成溫度在1150～1200℃之間，壓敏電阻中的氧化鉍、氧化銻等低熔點物質在800～950℃即已經是液態，高溫燒成下會形成氣態進一步揮發，這種揮發主要發生在四周側面，其后果是構成一個從側面邊緣到中部的低熔點物質濃度差分布，嚴重者在邊緣地區形成一個低熔點物質的貧化帶，做8/20μS模擬雷電沖擊都有可能將之擊穿。所以是壓敏芯片的傳統制造工藝決定了其擊穿點只會在邊緣，而且越靠近邊緣越薄弱易擊穿。這就決定指望用加大銅電極面積來遮蓋擊穿點的方法不僅是徒勞的（因為擊穿點總會出現在導電體的邊緣），而且還有隱患（更容易擊穿）。
YLSP-T1-15KA/4P-385V（10/350us） Iimp=15kA
YLSP-T1-25KA/4P-320V（10/350us） Iimp=25kA
YLSP-T1-35KA/4P-320V（10/350us） Iimp=35kA
YLSP-T1-50KA/4P-320V（10/350us） Iimp=50kA
1級試驗in100KA浪涌保護器up2.5kv 揚州浪涌電氣有限公司專業制造！

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