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正向壽命試驗臺

正向壽命試驗臺//正向壽命試驗臺

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公　司：西安誼邦電子科技有限公司

發布時間：2022年09月30日

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詳細說明

正向壽命試驗臺
系統概述
絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）作為功率開關器件，具有載流密度大、飽和壓降低等
許多優點，
但是由于其長期工作在高電壓、大電流、高頻開關狀態等且運行環境復雜，IGBT功耗和結溫頻繁波動容易造成器件疲勞老化。目前國內外溫度循環引起的器件失效機理已進行了深入研究，在此基礎上正積極發展功率模塊壽命預測技術以提高變流器運行可靠性。
技術指標
測試參數 VF 0.01～20V
0.01～10V±3%±0.01V
10～20V±3%±0.1V
測試條件正向電流：1mA～60A 直流方波
脈寬 50uS-1mS
工位 20只
測試方法器件在特定溫度下存儲一定時間后，在設定電流后按規定施加條件對被試器件依次進行測試，測試間隔時間約100m

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