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正向壽命試驗臺

正向壽命試驗臺//正向壽命試驗臺

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公　司：西安易恩電氣科技有限公司

發(fā)布時間：2022年09月30日

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楊經(jīng)理先生 (市場部經(jīng)理)

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詳細(xì)說明

正向壽命試驗臺
系統(tǒng)概述
絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）作為功率開關(guān)器件，具有載流密度大、飽和壓降低等
許多優(yōu)點，
但是由于其長期工作在高電壓、大電流、高頻開關(guān)狀態(tài)等且運行環(huán)境復(fù)雜，IGBT功耗和結(jié)溫頻繁波動容易造成器件疲勞老化。目前國內(nèi)外溫度循環(huán)引起的器件失效機(jī)理已進(jìn)行了深入研究，在此基礎(chǔ)上正積極發(fā)展功率模塊壽命預(yù)測技術(shù)以提高變流器運行可靠性。
技術(shù)指標(biāo)
測試參數(shù) VF 0.01～20V
0.01～10V±3%±0.01V
10～20V±3%±0.1V
測試條件正向電流：1mA～60A 直流方波
脈寬 50uS-1mS
工位 20只
測試方法器件在特定溫度下存儲一定時間后，在設(shè)定電流后按規(guī)定施加條件對被試器件依次進(jìn)行測試，測試間隔時間約100m

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