IGBT試驗臺系列
高溫阻斷試驗臺
系統組成
漏電流保護回路 試驗電壓保護回路
在每一試品試驗回路中都配置有0.1A的保險絲，當試品在試驗期內發 生劣化或突然擊穿或轉折，保險絲將熔斷，設備面板上的相應工位的 氖燈點亮示警，同時蜂鳴器報警提示。
試驗電壓由衰減板衰減取樣后反饋到控制單元，通過峰保器輸出與電 壓設定值比較，當試驗電壓高于電壓保護設定值時，過壓報警器響， 同時保護繼電器動作切斷高壓輸出。
高壓回路
電特性參數測試回路 試驗電壓 試品漏電流
由電源開關、控制繼電器、自藕調壓器、高壓變壓器、波形變換電路 組成，產生規定的試驗電壓并通過組合高壓線排，接入試品工位。
由電壓取樣回路，經采集、保持 電路送到設備的數字電壓表顯示；
對每一試品漏電流獨立采樣，通 過設備上的波段開關分別進行轉 換，傳送到數字電流表顯示。
技術指標
試驗電壓 VDRM.VRRM/VRRM 300V ~ 4000V 連續可調， 50HZ工頻 試驗電流 IDRM.IRRM/IRRM 1.0 mA ~200.0mA
試驗溫度
溫度范圍：室溫～150℃；溫度均勻性125℃±3℃； 溫度波動度±0.5℃
試驗工位 10工位 試驗容量 80×16=1280位
加電方式
器件試驗參數從器件庫中導入，ATTM自動加電試驗 方式，可單通道操作；老化電源可根據設定試驗電壓 和上電時間程控步進加載
高壓反偏試驗臺
技術指標
0.01mA～2mA 0.01mA~1mA±3%±0.01mA 1mA～2mA±3%±0.1mA 測試條件： 反向電壓：直流50～5000V ±3%±10V.
器件在特定溫度下存儲一定時間后，先測試IR ，每只 器件依次進行測試，測試間隔時間為約1S。然后同時 測試BVR，依次采集電流。間隔時間為約100mS。
50V～5000V ±3%±10V。 測試條件： 反向電流：0.01mA～2mA；直流方波。 0.01mA~1mA±3%±0.01mA； 1mA～2mA±3%±0.1mA。
靜態參數測試 高壓反偏測試
測試 參數 IR
測試 參數 BVR
測試 方法
試驗電壓： 50～5000V ±3%±10V 器件漏電流測試范圍： 0.01mA～2mA 0.01mA～1mA±3%±0.01mA 1mA～2mA±3%±0.1mA 測試時間：計算機設定 測試方法： 器件在特定溫度下存儲一定時間后，在設定電壓下對每只器件同 時持續加反壓進行測試，每隔1-2秒刷新一遍輸出的測試結果， 監控各器件反壓下漏電流參數，并保存測試數據。
功能指標
-50 ºC～140ºC ±1 -50℃～RT ≤±2℃(空載時) ≤±3℃(空載時) 不小于1～3℃/min（空載時） 220V±10%,50Hz±1Hz，安全接地
試驗高低溫度范圍 高低溫箱溫控精度 溫度范圍 溫度波動 溫度均勻 升溫速率 供電電源
規格
尺 寸：1800×650×500（mm）
質 量：175 |
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