系統(tǒng)概述
近年來(lái)由于電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子組件的發(fā)展趨勢(shì)朝向高功能、高復(fù)雜性、大量生產(chǎn)及低成本的方向。組件的發(fā)熱密度提升，伴隨產(chǎn)生的發(fā)熱問(wèn)題也越來(lái)越嚴(yán)重，而產(chǎn)生的直接結(jié)果就是產(chǎn)品可靠度降低，因而熱管理（thermalmanagement）相關(guān)技術(shù)的發(fā)展也越來(lái)越重要。電子組件熱管理技術(shù)中*常用也是重要的考量標(biāo)準(zhǔn)之一就是熱阻（thermal resistance）
西安易恩電氣ENR0620 熱阻測(cè)試系統(tǒng)，本系統(tǒng)測(cè)試原理符合 JEDEC51-1 定義的動(dòng)態(tài)及靜態(tài)測(cè)試方法）運(yùn)用實(shí)時(shí)采樣靜態(tài)測(cè)試方法（Static Method），廣泛用于測(cè)試各類 IC（包括二極管、三極管、MOSFET、IGBT、SOC、SIP、MEMS 等）、大功率 LED、導(dǎo)熱材料、散熱器、熱管等的熱阻、熱容及導(dǎo)熱系數(shù)、接觸熱阻等熱特性。
測(cè)試功能
測(cè)試器件 測(cè)試功能
IGBT 瞬態(tài)阻抗(Thermal Impedance)
從開(kāi)始加熱到結(jié)溫達(dá)到穩(wěn)定這一過(guò)程中的瞬態(tài)阻抗數(shù)據(jù)。
MOSFET
二極管 穩(wěn)態(tài)熱阻(Thermal Resistance)
包括：Rja,Rjb,Rjc,Rjl, 當(dāng)器件在給一定的工作電流后。熱量不斷向外擴(kuò)散，*后達(dá)到了熱平衡，得到的結(jié)果是穩(wěn)態(tài)熱阻值。在沒(méi)有達(dá)到熱平衡之前測(cè)試到的是熱阻抗。
三極管
可控硅
線形調(diào)壓器 裝片質(zhì)量的分析
主要測(cè)試器件的粘接處的熱阻抗值，如果有粘接層有氣孔，那么傳熱就要受阻，這樣將導(dǎo)致芯片的溫度上升，因此這個(gè)功能夠衡量粘接工藝的穩(wěn)定性。
LED
MESFET
IC 可以得到用不同占空比方波測(cè)試時(shí)的阻抗與熱阻值。
內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)與其散熱能力的相關(guān)性分析
多晶片器件的測(cè)試
SOA Test
浪涌測(cè)試
配置 / 系統(tǒng)單元
配置 組成單元
項(xiàng)目 配置 主機(jī) 平臺(tái)軟件
功率 2A/10V 采樣單元 測(cè)量控制軟件
測(cè)試延遲時(shí)間
（啟動(dòng)時(shí)間） 1us 數(shù)控單元 結(jié)果分析軟件
采樣率 1us 功率驅(qū)動(dòng)單元 建模軟件
測(cè)試通道數(shù) 2（*大 8 個(gè)） 測(cè)試通道1-8個(gè)
功率放大器 提高驅(qū)動(dòng)能力10~100 倍 擴(kuò)展選件
電性規(guī)格 系統(tǒng)特征
加熱
電流
測(cè)量
精度
低電流
測(cè)量 02A 系統(tǒng): ±1mA
10A 系統(tǒng): ±5mA
20A 系統(tǒng): (±10mA) ●測(cè)試啟動(dòng)時(shí)間僅為 1 s，幾分鐘之內(nèi)就 可以得到器件的全面熱特性；
●先進(jìn)的靜態(tài)實(shí)時(shí)測(cè)量方法，采樣間隔*快可達(dá) 1 s， 采樣點(diǎn)高達(dá) 65000 個(gè)，有效地保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和完備性；
高電流
測(cè)量 02A 系統(tǒng): ±4mA
10A 系統(tǒng): ±20mA
20A 系統(tǒng): (±40mA)
●市場(chǎng)上*高的靈敏度 FoM=10000 W/℃，很高的靈 敏度 SNR>4000，
結(jié)溫測(cè)試精度高達(dá) 0.01℃；
加熱電壓測(cè)量精度 ±0.25% ，
0~50V 熱 |
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