灣邊貿易供應美國sinton WCT-120 Suns-Voc少子壽命測試儀
美國Sinton WCT-120 Suns-Voc少子壽命測試儀器采用了獨特的測量和分析技術，包括類似平穩狀態photoconductance (QSSPC)測量方法。可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應表面復合效應等缺陷情況。WCT一個高度被看待的研究和過程工具。QSSPC終身測量也產生含蓄的打開電路電壓(對照明)曲線，與I-V曲線是可比較的在一個太陽能電池過程的每個階段。Sinton WCT-120
WCT-120準穩態光電導法測少子壽命的原理？
WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC準穩態光電導）
準穩態光電導衰減法（QSSPC）和微波光電導衰減法（MWPCD）的比較？
QSSPC方法優越于其他測試壽命方法的一個重要之處在于它能夠在大范圍光強變化區間內對過剩載流子進行*對測量，同時可以結合 SRH模型，得出各種復合壽命，如體內缺陷復合中心引起的少子復合壽命、表面復合速度等隨著載流子濃度的變化關系。Sinton WCT-120
MWPCD方法測試的信號是一個微分信號，而QSSPC方法能夠測試少子壽命的真實值，MWPCD在加偏置光的情況下，結合理論計算可以得出少子壽命隨著過剩載流子的變化曲線，而QSSPC直接就能夠測得過剩載流子濃度，因此可以直接得出少子壽命與過剩載流子濃度的關系曲線，并且得到PN結的暗飽和電流密度；MWPCD由于使用的脈沖激光的光斑可以做到幾個到十幾個，甚至更小的尺寸，在照射過程中，只有這個尺寸范圍的區域才會被激發產生光生載流子，也就是得到的結果是局域區域的差額壽命值，這對于壽命分布不均勻的樣品來說，結果并不具備代表性。Sinton WCT-120
美國Sinton WCT-120 Suns-Voc少子壽命測試儀的主要特點:
適應低電阻率樣片的測試需要，樣品電阻率可達0.1ohmcm
全自動操作及數據處理
對太陽能級硅片，測試前一般不需鈍化處理
能夠測試單晶或多晶硅棒、片或硅錠
可以選擇測試樣品上任意位置
能提供專利的表面化學鈍化處理方法
對各道工序的樣品均可進行質量監控：
硅棒、切片的出廠、進廠檢查
擴散后的硅片
表面鍍膜后的硅片以及成品電池
測量原理 QSSPC（準穩態光電導）
少子壽命測量范圍 100 ns-10 ms
測試模式：QSSPC,瞬態，壽命歸一化分析
電阻率測量范圍 3–600 (undoped) Ohms/sq.
注入范圍：1013-1016cm-3
感測器范圍 直徑40-mm
測量樣品規格 標準直徑: 40–210 mm （或更小尺寸）
硅片厚度范圍 10–2000 μm
外界環境溫度 20°C–25° |
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